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MOS的全称是金属氧化物半导体型场效应管
MOS管属于场效应管中的绝缘栅型，MOS管开关速快，高频特性好，输入阻抗大，导通内阻小，广泛应用于功率器件的开关控制。电动工具、开关电源、LED驱动、充电电路等等应用都可以见到MOS管的身影
MOS管工作分析
MOS管分N MOS管和P MOS管两种，有两个背靠背的PN结组成，总会有一个PN结反偏。MOS管有三个脚，栅极(G)、漏极(D)和源极(S)，其中栅极(G)导通控制引脚，导通后电流可以从漏极(D)流向源极(S)。当在栅极(G)施加电压后，栅极(G)和硅衬底之间的SiO2绝缘层中就会产生一个栅极(G)指向硅衬底的电场。氧化物层两边形成一个电容，门极电压等于对电容充电，受电压吸引，电容另一边聚集大量电子，形成导电沟道，MOS管开始导通，电流可以从漏极(D)流向源极(S)，也可以从源极(S)流向漏极(D)。
MOS管驱动
MOS管是电压驱动型的器件，当门极开启电压（Vgs)达到一定电压时，就可以导通。
N沟道MOS管：DR为高电平时导通（Vgs为正电压）
P沟道MOS管：DR为低电平时导通（Vgs为负电压）
三极管是电流驱动的，只要基极电流（Ib）满足就可以导通，MOS管是电压驱动型，如果驱动电压不足，可以加入三极管，由三极管的集电极电压控制MOS导通。
MOS导通后的内阻一般只有几十毫欧，甚至只有几毫欧，非常适合较大功率器件的驱动。大功率的MOS工作电流可以去到几十安，甚至上百安，是三极管没法做到的。
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电子产品设计方案
MOS管是一种晶体管，可以理解为:"一个受电压控制的电阻"。根据电压的大小可以调节MOS管的电阻大小，在工作中的MOS管根据电阻的大小可以分为三种区域(三种状态)：
1、导通区(电阻几乎为0，一般就是几十mΩ，相当于短路)；
2、可变电阻区(类似一个可调电阻，阻值大小受电压控制)；
3、截止区(电阻几乎无穷大，相当于断路)。
应用范围很广，可大体分为几种状态：
1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。
2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用(类似二极管单向导通)，比二极管有优势的地方是压降小、功耗低，导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显；
3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用，一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻，优势是生产方便，体积小巧。
4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用，与三极管放大电路类似。
琪浩电子攻城狮
MOS管是电子电路中常用的功率半导体器件，可以用作电子开关、可控整流等，是一种电压驱动型的器件。
1 什么是MOS管
MOS管的全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管，英文简称为MOSFET，具有三个电极，分别为：栅极G、源极S和漏极D，根据其半导体结构可以分为P-MOS和N-MOS。其电气符号如下图所示。
下面以NMOS为例分析其工作原理，在栅极G和源极S之间不加电压的时候，在DS之间加正电压时，D与衬底的P型半导体之间PN结反偏不通。当GS之间加正电压后，绝缘层和G极之间感应出正电荷，绝缘层和P型半导体之间感应出负电荷。这时负电荷和P型半导体中的载流子的极性相反，会将D和S的N型半导体连接起来形成一条N型的导体沟道。NMOS半导体结构如下图所示。
2 MOS管的驱动方式
MOS管为电压驱动型的半导体器件，对于NMOS而言，如果VGS>0，则NMOS导通；对于PMOS而言，如果VGS<0则，PMOS导通。其驱动电路示意图如下图所示。
对于单片机电路而言，我们建议不要直接用GPIO来驱动MOS，因为单片机的供电电压以3.3V居多，输出的高电平为3.3V，对于功率较大的MOS而言，可能无法使MOS管完全导通。所以，一般通过三极管来驱动MOS管，三极管是电流型的驱动器件。
3 MOS管的作用
MOS管多被用作电子开关，用在控制控制回路中控制负载的通断，也可以当作可控整流来实现交流变直流。这两个最主要的应用，除此之外，还具有防反接开关和电平转换的作用。电平转换作用的原理图如下图所示。
上图实现3.3V和5V电平的转换，工作原理如下：
左侧输入3.3V时，VGS=0，MOS管不导通，右侧输出5V电平；
左侧输入0V时，VGS>0，MOS管导通，右侧输出0V；
右侧输入0V时，MOS的寄生二极管导通，左侧输出0V；
右侧输入5V时，VGS=0，MOS管不通，左侧输出3.3V；
由此实现了，电平的双向转换。
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玩转嵌入式
mos是一种应用场效应原理工作半导体器件
场效应管具有输入 阻抗高，噪音低、动态范围大、 功耗小 易于集成等特性 得到了越来越多人的认可
