中芯國際N+1工藝製造7nm芯片,ASML表示EUV光刻機不停供是延期!

此前,有媒體報道稱,中芯國際集成電路製造(深圳)有限公司從荷蘭進口一臺大型光刻機到貨。不過,該光刻機並不是外界盛傳的極紫外線EUV光刻機,製造工藝只是中等水平。

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荷蘭ASML公司的EUV光刻機目前已經安全抵達,中芯國際透露,通過所有科研人員的努力研發,目前12nm的芯片已經進入客戶驗視階段,很快將這款12nm的芯片量產。如果良品率、產品質量等各方面都滿足,那麼很快便可以實現商用。

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在美國為主導的對華為禁令發出,那荷蘭不可能為我們提供7nm芯片的EUV光刻機。

我國中芯國際研究團隊,另闢蹊徑研究出 N+1工藝甚至N+2工藝。N+1工藝對比14nm功耗降低了57%、邏輯面積小了63%、SOC面積減少55%。這換算下來,可以達到臺積電用EUV光刻機生產的7nm芯片水準。簡而言之就是我們沒有ASML的EUV光刻機,也能一樣做出7nm芯片。

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至此中芯成為全球第三家掌握10納米以下工藝的芯片企業。而撐控著7nm製造工藝市場的臺積電丟了華為的大訂單。美國迫使荷蘭不給中芯國際EUV光刻機已經沒有任何意義了。

難怪華為胸有成竹地宣佈使用完全使用國產零部件了。實現供貨商的去美國化。美國製裁華為促使華為更獨立自主。

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華為為避免被臺積電卡脖子撤出與臺積電合作的7nm芯片合同,轉而使用中芯國際的12nm的麒麟710A芯片。

有些網友就不淡定了,想必認為麒麟710A的速度比不上麒麟980或麒麟990芯片的。

目前,麒麟710A在中低端手機市場上應該說完全夠用,這只是一種過渡的產品。華為芯片還是要依賴麒麟890,990的。好在,中芯國際已經能夠製造出屬於自己的芯片並且是7nm級別,在年底就能夠量產,這對華為來說幾乎毫無影響。

打壓華為或可為中國製造芯片逼上梁山。中國製造有其根深蒂固的中華志氣。我國在國外巴統技術封鎖的情況下突破了一個又一個的技術壁壘。

在光科技領域,我國一旦突破,下一個製程就應該是5nm,3nm甚至更小nm技術。因為,在前不久,中科院研發出硅-石墨烯-鍺基片。理論上可在納米級別上做任何的芯片,並且其速度會遠遠超過現有基片所製造出的芯片的1000倍,很好地解決了電子隧穿問題。

我們要發展民族工業,尤其是我們自主研發製造的芯片,實際上在美國打擊中興之時已經開始提早佈局了。

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高精度的芯片生產,離不開光刻膠的。近日,國外媒體爆料:美國相關企業正在對全球最大的光刻膠生產廠商,來自日本的JSR公司進行收購。據悉,美國對沖基金(ValueAct Capital)目前已經花費了三億美元購入了全區最大的光刻膠生產基地。並且成為該生產基地最大的一位股東,日本JSR公司的決定權也到了美國手中。

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我們自主研發製造的芯片,高精度的芯片製作,需要配備光刻機和光刻膠的協同作業。有光刻機沒有光刻膠這種原材料,芯片生產也同樣無法進行下去光刻膠對研發製造芯片極為重要。在這方面,我國的光刻膠工廠已經在中興被美國打壓事件之初開始佈局,把技術牢牢地掌握在自己手中。

芯片製造光刻機和蝕刻機,缺一不可,我國生產的5nm等離子蝕刻機世界一流,已經進入臺積電的生產線,美國如果嚴禁臺積電給華為代工芯片,那麼我們可以同樣反制禁止臺積電用我們產的蝕刻機給美國代工芯片。 半導體產業科技領域,我國一旦突破,下一個製程就應該是5nm,3nm甚至更小nm技術。因為,在前不久,中科院研發出硅-石墨烯-鍺基片。理論上可在納米級別上做任何的芯片,並且其速度會遠遠超過現有基片所製造出的芯片的1000倍,很好地解決了電子隧穿問題。

相信不久,中芯國際將以絕對的優勢超越對手。

現在情況發展讓荷蘭方面也不得不做出退讓。同意繼續提供EUV光刻機。

中芯國際董事長周子學日前在韓國訪問,韓媒報道稱周子學表態已經解決了與ASML之間就光刻機供應存在的問題,強調中芯國際在先進工藝上的研發、生產一直處於穩定的軌道上,與客戶及設備供應商之間沒有任何問題。

ASML公司是EUV光刻機目前唯一的供應商,今年四季度,ASML預計交付8臺EUV光刻機,平均每臺價格達到了1.2億歐元,摺合人民幣9.3億元,堪稱人類最昂貴的設備。

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