Intel和美光大方宣告進軍QLC閃存（目前64層），從結構原理上講，QLC閃存每單元可以保存4比特數據，相比TLC又多了三分之一，不過PE只有1000次，是TLC的1/3。
當然，其好處是存儲芯片的容量顯著提升，也就是同容量對比TLC將有著足夠競爭力的價格優勢。
在今天的存儲活動中，Intel除了帶來傲騰DC非易失性DDR4內存條產品，還公佈了QLC SSD的更多進展。
Intel透露，將在下半年面向消費級推出QLC SSD。從此前的爆料來看，可能會叫660p，採用M.2板型，走PCIe x2通道，最大容量2TB。
DC P4510
企業級領域，Intel的進展就更快了，包括將2.5寸QLC閃存SSD做到了20TB大小。看起來這應該是15mm厚的U.2接口NVMe產品，最終定位在DC P4510以下，後者目前提供8TB U.2接口的產品。
據悉，Intel自營的所有3D閃存生產如今都在大連Fab 68工廠完成，位於猶他的IM（Intel/Micron）Fab2則是全力生產3D Xpoint存儲芯片。
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