數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵（GaN－on－Si）技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
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與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優勢已牢固確立——它可提供超過70％的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，並且可擴展至高頻率。同時，綜合測試數據已證實，硅基氮化鎵符合嚴格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵（GaN－on－SiC）替代技術。
硅基氮化鎵器件工藝能量密度高、可靠性高，晶圓可以做得很大，目前在8英寸，未來可以做到10英寸、12英寸，晶圓的長度可以拉長至2米。硅基氮化鎵器件具有擊穿電壓高、導通電阻低、開關速度快、零反向恢復電荷、體積小和能耗低、抗輻射等優勢。理論上相同擊穿電壓與導通電阻下的芯片面積僅為硅的千分之一，目前能做到十分之一。
如果說硅基氮化鎵器件有什麼缺點，那就是單品的價格偏貴。但據瞭解，使用了這種器件後，所需要的配套外圍電子元件、冷卻系統成本大幅降低。雖然論單個器件成本，氮化鎵比硅基器件貴，但是論系統整體成本，氮化鎵與硅基器件的成本差距已經非常小，在大規模量產後可實現比硅器件更高性能與更低成本。（查找半導體就到全球IC採購網：qic.com.cn）
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