InSense即將問世的10軸單芯片慣性（運動）MEMS傳感器，包括3軸加速度計+3軸陀螺儀+3軸地
據麥姆斯諮詢報道，InSense（盈感電子科技）是一家總部位於美國硅谷的MEMS創業公司，專注於加速度計、陀螺儀等新一代慣性MEMS傳感器的開發和量產。InSense創始人源自美國斯坦福大學和英特爾（Intel），在MEMS器件和工藝開發方面深耕多年。InSense的MEMS技術具有顛覆現有慣性傳感器產品的創新性，相比傳統硅MEMS器件在性能上有極大地提高，同時成本獲得了大幅降低。其早期MEMS傳感器原型產品在斯坦福MEMS納米制造實驗室開發。目前，InSense已經獲得了三家機構的風險投資，投資方包括New Enterprise Associates（全球第一大VC）、Walden International（華登國際）和斯坦福基金。
現在，MEMS器件已經廣泛應用於消費類電子產品和汽車產業。市場對於集成多用元件的需求正在高速增長，分立式MEMS器件市場開始放緩。在組合式MEMS應用中，多個MEMS器件被集成於單個芯片，例如多自由度慣性傳感器，這些微機械加工的MEMS結構（比如加速度計、陀螺儀以及磁力計）全部集成在同一個封裝體內,以獲得更小的器件尺寸、更低的成本以及更低的功耗，因此，這些對單芯片集成提出了新的要求。
然而，目前上述慣性傳感器芯片集成通常以混合方式實現，其中含有多顆MEMS芯片和ASIC芯片，這些芯片單獨製造並組裝以形成所需的產品。由於集成是在器件級而非晶圓級上進行，這種方案的相關成本通常很高。此外，由於需要許多層佈線和鍵合，因而使得器件整體尺寸較大。
這些瓶頸可以由在CMOS襯底上直接製造MEMS器件來解決。不過，硅是目前製造MEMS 器件的主要材料，其沉積與CMOS襯底的所需熱預算（thermal budget）不兼容，CMOS襯底無法承受任何高於450℃的工藝溫度。
InSense的專利技術通過使用電鍍銅（electroplated copper，e-Cu）作為結構材料，在低於 450℃下直接沉積在ASIC互連層上形成MEMS結構，以單片方式提供了晶圓級集成。隨後的微製造步驟限定固定到金屬互連體的MEMS器件，從而提供直接電氣接觸。
使用目前用於ASIC金屬互連的e-Cu作為結構材料，可以實現更容易的佈線，得益於銅的高密度可以實現優化的機械結構和更小的尺寸。並且由於不需要晶圓鍵合，因此器件成本更低，可以在單個芯片上集成多個傳感器。此外，更小的寄生效應，可以提供低噪聲和更高的性能。
InSense發明專利中的一個實施例，通過ASIC互連層上的直接工藝在CMOS襯底上進行直接製造
InSense這項技術曾於2016年獲得美國國家科學基金會（NSF）給予的749,942美元項目（SBIR）支持，該項目已經進入第二階段。從NSF官方給出的信息看到，該項目的首席調查員（Principal Investigator）是InSense董事長兼首席執行官（CEO）：Noureddine Tayebi。
InSense獲得美國國家科學基金會的項目支持
InSense董事長兼首席執行官Noureddine Tayebi
InSense為其創新技術在美國、歐洲和中國都申請了發明專利，其專利技術有望顛覆目前的慣性MEMS產業格局。InSense近日展示的10軸單芯片慣性（運動）MEMS傳感器（3軸加速度計+3軸陀螺儀+3軸地磁+壓力傳感器）目前正在專業代工廠調試，預計將於2019年問世，讓我們一起拭目以待！
延伸閱讀：
《MEMS產業現狀-2018版》
《mCube晶圓級芯片封裝（WLCSP）MEMS加速度計：MC3672》
《mCube全球最小LGA封裝加速度計：MC3635》
《磁傳感器市場與技術-2017版》
《MEMS壓力傳感器市場和技術-2018版》
《高端慣性系統市場與技術-2017版》
《ADI精密6軸MEMS慣性傳感器：ADIS16460》
《賽峰Colibrys VS1000系列加速度計》
《Silicon Sensing組合傳感器（Z軸陀螺儀和2軸加速度計）：CMS300》
《村田SCC2000系列：X或Z軸陀螺儀和3軸加速度計》
《Tronics陀螺儀：GYPRO3300》
《Epson Toyocom石英陀螺儀：X3500W》
《Sensonor高精度MEMS陀螺儀模塊：STIM210》
《美信3軸MEMS陀螺儀：MAX21000》
原文鏈接：http://www.mems.me/mems/accelerometer_201812/7408.html
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