東芝首發UFS 3.0內存性能炸裂,讀寫速度2.9GB

不久前,有一張1TB UFS 3.0閃存的Androbench測試圖曝光,可以看到它的順序讀寫速度非常高,基本比肩高端的固態硬盤。

東芝首發UFS 3.0內存性能炸裂,讀寫速度2.9GB/s堪稱碾壓

1月23日,東芝內存公司(Toshiba Memory Corporation)正式宣佈已經對業界首款UFS 3.0閃存進行採樣。新產品採用了該公司最先進的96層BiCS FLASH 3D閃存,共有128GB、256GB和512GB 版本三種容量可供選擇。

東芝首發UFS 3.0內存性能炸裂,讀寫速度2.9GB/s堪稱碾壓

這三款閃存芯片均符合了JEDEC UFS 3.0標準和HS-GEAR4標準,其理論接口速度高達每通道每秒11.6千兆位,在雙通道下可以實現23.2Gbps(2.9GB/s)帶寬,同時減少了所需功耗。與上一代閃存相比,512GB版本的順序讀寫性能分別提高了約70%和80%。

隨著處理器性能的不斷提升,東芝領跑三星、西部數據、SK海力士、美光等,首發UFS 3.0,將成為下一代高端旗艦智能機的亮點。東芝宣佈量產UFS3.0產品,其有望成為第一家在智能手機中商用UFS 3.0閃存的廠商。


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