2月13日，小米年度旗艦新品發佈會舉辦，除了年度旗艦小米10系列——小米10、小米10 Pro兩款新品之外，一同亮相的還有小米氮化鎵(GaN)充電器Type-C 65W。這一新應用的發佈順勢引爆了A股第三代半導體概念股。截至14日收盤，富滿電子漲停、臺基股份也一度漲停。三安光電、士蘭微、華微電子等個股的漲幅均超過3%。
據小米介紹，小米氮化鎵充電器具備65W功率，體積卻只有同樣功率的傳統充電器的一半，具備小巧、高效、發熱低等優點。讓小米充電器具備如此多優點的“功臣”，就是氮化鎵材料。
氮化鎵(GaN)是第三代半導體材料之一。除了氮化鎵(GaN)之外，第三代半導體材料還包括碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）等。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。
在應用方面，根據第三代半導體的發展情況，其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他4個領域，每個領域產業成熟度各不相同。在前沿研究領域，寬禁帶半導體還處於實驗室研發階段。
此前國內已經有不少企業搶灘第三代半導體。據瞭解，包括華為海思，三安光電、聞泰科技、士蘭微、華潤微、海特高新、華微電子、揚傑科技等在內的多家公司均已積極佈局第三代半導體。
據2019年世界半導體大會期間發佈的《2019年中國第三代半導體材料產業演進及投資價值研究》白皮書數據，2018年，在5G、新能源汽車、綠色照明等新興領域蓬勃發展以及國家政策大力扶持的雙重驅動力下，我國第三代半導體材料市場繼續保持高速增長，總體市場規模已達到5.97億元，同比增長47.3%。預計未來三年中國第三代半導體材料市場規模仍將保持20%以上的平均增長速度，到2021年將達到11.9億元。
得益於5G提速、中美貿易背景下的國產替代加速等因素，業界普遍認為，國內第三代半導體有望迎來高速成長。（校對/七七）
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