對於國產軟硬件，我們從未如此期盼，幸運的是各項突破也是接踵而至，現在我們終於有了自己的內存。
長鑫存儲官方網站上，已經公開列出了自家的DDR4內存芯片、DDR4內存條、LPDDR4X內存芯片，都符合國際通行標準規範。
據介紹，長鑫DDR4內存芯片可匹配主流市場需求，支持多領域應用、多產品組合，並有充分的可靠性保障，規格方面單顆容量8Gb(1GB)，頻率2666MHz，電壓1.2V，工作溫度0℃至95℃，78ball、96ball FBGA兩種封裝樣式。
長鑫特別強調，這是第一顆國產的DDR4內存芯片。
根據此前消息，這些芯片都採用國產第一代10nm級工藝製造，預計到2020年底月產能可達4萬片晶圓。
DDR4內存條也是長鑫自主開發設計，搭載原廠顆粒，種類齊全，提供UDIMM桌面型、SO-DIMM筆記本型，容量均為單條8GB，頻率2666MHz，電壓1.2V，工作溫度0℃至95℃。
LPDDR4X內存芯片號稱匹配主流需求，兼備高速度與低功耗，可提供超高續航能力、超低功耗設計、穩定流暢體驗，規格方面單顆容量2GB、4GB，頻率3733MHz，電壓1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度-30℃至85℃，200ball FBGA封裝。
目前，長鑫已開始接受上述產品的技術和銷售諮詢，相信它們很快就會出現在市面上。
長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動，總投資1500億元，專業從事DRAM內存的研發、生產和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠並投產，並通過專用研發線快速迭代研發，結合當前先進設備大幅度改進工藝，開發出了獨有的技術體系。
就在去年底，長鑫存儲從Polaris獲得了大量DRAM技術專利的實施許可，而這些專利來自Polaris 2015年6月從奇夢達母公司英飛凌購得的專利組合。
除了長鑫，國內存儲芯片行業還有三大主要勢力，分別是長江存儲、紫光集團、福建晉華，不過後者因為被美國製裁，目前基本上處於停轉狀態，無法購買美國半導體裝備，暫時不可能生產。
長江存儲本身是紫光集團旗下的閃存公司，不過2019年他們也組建了DRAM內存事業部，臺灣內存教父高啟全擔任CEO，並挖來了前日本爾必達內存董事長坂本幸雄擔任紫光日本公司的CEO。
坂本幸雄在DRAM領域具有30餘年的從業經驗，在技術以及戰略發展上擁有優秀的領導力。坂本幸雄先生曾任日本德州儀器副社長、神戶制鋼電子信息科半導體部門總監理、聯日半導體社長兼代表董事，及爾必達存儲社長、代表董事兼CEO。
日前坂本幸雄也接受了日本媒體採訪，談到了他在紫光集團的工作情況，介紹了紫光內存的發展方向等問題。
坂本幸雄在日本主要負責建立內存研發中心，要招募人才，他表示2月份已經開始發佈招聘廣告，預計年內招聘50名研發人才。
根據坂本幸雄的信息，紫光在中國境內有200多名來源於已破產的奇夢達公司的研發人才，在日本計劃招募100多名j數人員。
坂本幸雄透露，紫光去年已經跟重慶達成了合作協議，今年預計在重慶開始建設內存工廠，力爭3年後量產，所產的內存首先用於中國市場。
此外，有記者提到了福建晉華被禁止採購美國公司半導體裝備的風險，坂本幸雄表示紫光沒有這樣的風險，同時他認為中國要解決半導體裝備問題需要10年時間。
當然，我們的差距還是很大的，不信看三星——
月初發布的Galaxy S20 Ultra率先搭載了16GB RAM，三星今日宣佈，已開始量產單封片16GB容量的LPDDR5內存，追上高端筆記本、遊戲PC的水準。
三星介紹，16GB LPDDR5內存速率（帶寬）可達5500Mps，是LPDDR4X-4266的1.3倍。相較於單封片8GB LDDR4X內存，功耗減少20%的同時容量卻增加一倍。
據悉，三星此次的LPDDR5 DRAM基於第二代10nm級工藝（1y nm）打造，由8顆12Gb晶片和4顆8Gb晶片封裝而成，用於高端智能手機後將為5G網絡、8K視頻、AI運算助力。
三星低功耗內存發展歷史
另外，三星透露，基於第三代10nm級工藝（1z nm）的單晶片16Gb LPDDR5內存將於下半年量產，速率達到6400Mbps，也就是LPDDR5的設計極限。屆時，封裝一片16GB手機內存只需要8顆小晶片，可進一步降低發熱、減少功耗以及對手機內部空間的侵佔。
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