讓固態硬盤更快的秘訣
固態硬盤主要由主控、緩存和閃存組成，閃存既是固態硬盤的主要成本要素，也是固態硬盤性能的直接決定者。
一塊固態硬盤是否優秀很大程度上取決於它所使用的閃存。消費級固態硬盤當前已經發展到TLC時期，並有望於今年末進入QLC世代。在容量變大的同時，閃存的寫入性能會受到不利的影響，SLC緩存就是為解決閃存寫入速度短板而生。
閃存使用電子記錄和表達數據，TLC閃存每個存儲單元可以記錄3比特數據，因而被命名為Triple-Level Cell。當然，在必要的時候，它也可以模擬SLC閃存使用，即每個存儲單元只記錄1個比特數據，此時它的讀寫速度都將接近於SLC閃存的表現，這就是SLC緩存的基本原理。
所有TLC固態硬盤都使用了SLC緩存，東芝TR200也不例外。
TR200使用了當前最先進的64層堆疊3D TLC閃存，相比二維閃存具有更高的存儲密度和更大的存儲器單元間隔，寫入速度更高使用壽命更長。不過，3D閃存要發揮更強的性能依然需要有一些閃存特性的配合。
Copy Back是閃存芯片的一項功能，它可以快速的將1個頁（Page）的內容複製到另外一個指定的頁當中。這對於垃圾回收（GC，Garbage Collection）非常有用，藉助Copy Back可以快速地將有效頁從準備擦除的塊中提取出來寫入到新的塊中，完成對有效頁的整理歸併。相比傳統的先將Page讀取到外置緩存，再由外置緩存寫入新的Page更為高效。
Copy Back將一整頁（來源Page）中讀取並複製到閃存面（Plane）的內部頁緩存區當中，再將它寫入到另一個頁中（目標Page），數據資料無需經過外置緩存，減少了數據在外置緩存間傳輸的時間，同時也減輕了主控的數據處理壓力，實現類似於DMA（直接存儲器訪問）的效果。
東芝TR200所用BiCS3閃存支持Copy Back指令，除了能提升GC垃圾回收的效率之外，還增強了SLC緩存釋放的效率。
當然，使用Copy Back實現SLC緩存的釋放處理，對閃存出錯率提出了很高的要求。由於Copy Back有可能造成數據存儲過程中累積錯誤bit位數增加，只有高品質的TLC閃存才能滿足Copy Back的要求。東芝製造的BiCS 3D閃存以優秀的高可靠性表現充分勝任Copy Back需求，TR200也因此具備了業界領先的高性能水準。
關於東芝：
東芝於1987年發明了NAND閃存，並且率先於1991年開始量產該產品，開創了閃存世界。2007年，東芝首次宣佈三維閃存堆疊技術：BiCS Flash。
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