安徽網 大皖客戶端訊 今天下午，中宣部“推動高質量發展調研安徽行”採訪團來到位於合肥的長鑫存儲內存芯片自主製造項目。
長鑫存儲內存芯片自主製造項目總投資不低於１５００億元，其與國際主流 DRAM產 品 同 步 的 １０ 納 米 級 第 一 代８Gb DDR４首度亮相,，一期設計產能每月１２萬片晶圓。這標誌我國在內存芯片領域實現量產技術突破,擁有了這一關鍵戰略性元器件的自主產能。
據介紹，長鑫存儲將分三期建設三座12寸dram存儲器晶圓廠，預計三期滿產後產能36萬片/月。
新安晚報 安徽網 大皖客戶端記者 項磊
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