東芝與西部數據的合資閃存代工廠已經開始製造96層3D NAND芯片，而兩家合作伙伴正在此基礎上積極生產四級單元（簡稱QLC）產品。其中仍在使用TLC的東芝公司發佈一款三級單元的1 TB SSD，而率先邁入QLC時代的西部數據則擁有一款四級單元的1.33 Tb芯片。
東芝公司的XG6為一款單面M.2“口香糖”（22 x 80毫米）外形尺寸的產品，其屬於XG5 M.2驅動器的換代方案。這款驅動器採用64層3D NAND芯片，容量選項分別為256 GB、512 GB以及1 TB。前後兩代產品皆配備有一個NVMe接口。
儘管採用其512 Gb晶圓的96層TLC芯片在單位容量方面較64層方案提升了40%，但XG6驅動器的容量水平卻仍與XG5保持一致。
與XG5相比，XG6的另一個奇怪之處在於其性能表現。XG5的隨機讀取IOPS高達14萬4千次，隨機寫入IOPS則高達11萬9250次——這屬於典型的隨機讀取速度高於寫入速度的模式。而XG6的參數分別為隨機寫入IOPS為35萬5千次，隨機讀取IOPS為36萬5千次。
XG5的連續讀取與連續寫入傳輸帶寬分別為每秒3 GB與每秒2.1 GB，XG6則分別為每秒3.18 GB與每秒2.96 GB——這又重新迴歸了讀取快於寫入的典型模式。
東芝公司還擁有一款XG5-P，即高端M.2 2 TB驅動器，其中採用64層TLC 3D NAND芯片。因此，我們希望能夠看到未來推出採用96層TLC芯片的XG6-P，其容量或將達到3 TB水平。
XG6提供五年質保與150萬小時平均故障前運行時長。具體使用壽命信息目前尚不明確。東芝公司正在向OEM廠商提供樣品，這款驅動器將主要用於PC/移動端、嵌入式設備以及數據中心場景。
東芝公司表示，其正在開發一款QLC（四級單元）芯片，這將把現有TLC芯片的容量進一步提升三分之一。
西部數據與東芝的QLC芯片
西部數據公司目前擁有一款採用同一晶圓廠出產芯片的1.33 Tb QLC芯片，其表示這是目前業界內存在的存儲容量最高的單一3D NAND芯片。
這款芯片現已開始提供樣品，並計劃於今年年底之前批量出貨以用於SanDisk品牌的消費級產品。西部數據方面表示，預計這些芯片將出現在零售、移動、嵌入、客戶以及企業級產品線當中。SanDisk Ultra目前提供的最高容量水平為2 TB，我們預計新芯片的推出可能將其容量提升至3 TB。
作為東芝存儲器集團下轄的子公司，東芝美國有限公司亦擁有一套96層QLC芯片的原型設計方案。該公司表示其單芯片容量為1.33 Tb，與西部數據保持一致。東芝方面將這些芯片每16個一組堆疊在同一封裝之內，從而生產容量達2.66 TB的“超級芯片”。
相關樣品將於今年9月向SSD及控制器供應商交付，全面量產時間預計為2019年。
三星、美光與英特爾
本月早些時候，三星公司表示其正在生產90層以上3D NAND芯片，並著手開發QLC方案。美光公司剛剛進入96層領域，目前擁有2.5英寸ION 5210 QLC SSD，其採用64層技術且容量為7.68 TB。我們預計未來推出的96層版本可能將容量提升至10 TB水平。
英特爾公司發佈推文表示，其目前正在生產數據中心級QLC SSD，且目標是開發出容量達20 TB的2.5英寸SSD。更多細節預計將在8月6日至9日召開的Flash Memory峰會上公佈。
可以看到，我們正全面進入96層與QLC閃存時代，由SATA與SAS到NVMe的過渡也在持續進行當中。感謝閃存的蓬勃發展為我們帶來一系列振奮人心的好消息。
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