NAND閃存容量的提升，一方面是在每個單元內塞入更多比特數(SLC/MLC/TLC/QLC……)，另一方面則是3D立體多層堆疊，現在很多SSD固態硬盤用的都是64層閃存。
在日本巨型的國際存儲工作組(IMW)會議上，應用材料公司(Applied Materials)提出，預計到2020年，3D閃存堆疊可以做到120層甚至更高，2021年則能實現140+層，是目前主流64層的兩倍還多。
不過，如此超多閃存層堆疊在一起，對製造工藝、材料的要求會非常高，尤其是140層堆疊必須使用新的基礎材料。
應用材料提出，90+層堆疊閃存會在今年爆發，整體堆棧厚度增至5.5微米，而每一對堆疊層的厚度則會從60nm減小到55nm，從而能夠保證堆疊高度的穩定性。
而到了140+層，堆疊厚度將增至大約8微米，每對堆疊層則必須壓縮到45-50nm。
相信到時候，TB級別固態硬盤就可以普及到尋常百姓家了。
目前，SK海力士已經量產72層堆疊3D閃存，西數和東芝則第一個做到了96層，但尚未量產，也還沒有實際產品。
至於誰能第一個做到140層堆疊，拭目以待。
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