日前三星正式宣佈，其基於第二代 10nm 製程的 8Gb DDR4 RAM 芯片已經開始了大規模量產。跟上代產品相比，它的速度快了 10%，同時功耗也降低了 15%。除此之外，新品的生產率也上升了 30%，有望降低一些 RAM 的售價。值得一提的是，在這次的開發過程中三星使用了效率更高的查錯方案，並且還特意在位線間加入「獨特的空氣間隔」來減少寄生電容。另外，三星在公告中還表示「自己將加快引入下一代的 DRAM 芯片和系統，包括 DDR5、HBM3、LPDDR5 和 GDDR6，用於企業服務器、移動設備、超級電腦、HPC 系統和高速顯卡」。與此同時，更主流的第一代 10nm 級製程芯片生產量也會增加。
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