硅和鍺是位於銀、鋁等導體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用於製造半導體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質其產生的不同電阻率是由於可移動的電子量不同引起的。這種可移動電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質來改變自由電子的數量，並可控制電流動的物質稱為半導體。
根據電流流動的構造，可將半導體分為N型和P型兩類。
半導體的電流流通原理
(1) N型半導體
圖1是在硅晶體中摻入雜質磷（P）元素的概要圖。磷原子持有的5個價電子中4個和硅（Si）原子一樣，通過共價鍵，與鄰接原子緊密結合。剩下1個價電子不發生共價鍵，而是根據室溫高低成為自由電子。這個自由電子將旁邊的價電子趕出，取代它的位置，而原有價電子變為自由電子，再將旁邊的其他價電子趕出。通過這樣的重複過程，使自由電子不斷移動從而形成電流。由電子作為載流子（輸送電流）的半導體稱為“N型半導體”。施主原子的電子不足時，帶正電荷。
圖1 N型半導體結構
(2) P型半導體
圖2是在硅晶體中摻入雜質硼元素的概要圖。硼元素具有3個價電子，與硅相比少1個價電子。鄰接硅原子中的價電子通過微量熱能變為自由電子，被受主原子吸收。被吸收的價電子的原有位置稱為空穴，進一步吸收鄰接硅原子中的價電子。通過這個重複過程， 空穴移動，產生電流。由空穴作為載流子的半導體稱為“P型半導體”。受主原子的電子過多，因而帶負電荷。
圖2 P型半導體結構
二極管為單向傳導的電子器件
二極管是由P型半導體和N型半導體形成的，構造簡單。P型和N型結界面周圍，各個載流子擴散並結合，從而出現了不存在載流子的區域。在這個區域裡，帶電的雜質形成勢壘電場，通過阻止載流子擴散阻礙結合。我們將這個不存在載流子的勢壘電場稱為耗盡層。
圖3 PN結二極管的結構
在二極管的兩端，P型區域外加正電壓，N型區外加負電壓，向耗盡層變窄的方向上加入能量，則載流子極易向兩邊漂移，再次產生複合，因複合而消失的載流子被外加電壓的電流補給，形成定向電流。與此相反，當在P型區域外加負電壓，N型區外加正電壓時，向載流子被電極吸引的方向上加入能量，則耗盡層變寬，電流幾乎不再流動。上述電流單向流動即為二極管的基本原理—整流作用。易於電流流動的方向稱為正向，不易電流流動的方向稱為反向。
二極管的電壓電流特性
二極管的電壓電流特性如圖4所示。需要注意的是，即使是正向，如不外加一定程度電壓，電流還是不會流動的。硅二極管所需外加電壓為0.7～0.8V，肖特基二極管約為0.2V，發光二極管（LED ）為2～5V以上，能讓電流正向流動。在反向上外加一定電壓時，也可突然產生電流，這種現象稱之為擊穿。擊穿電壓幾乎不受電流影響，因此常用做定電壓源。
圖4 二極管的電壓電流特性
電子電路的基本元件（最早投入使用的固體有源元件）
晶體管（為避免與下文中的FET產生混淆，也可稱之為雙極型晶體管）是P型半導體和N型半 導體相互疊加，呈三明治夾層構造的元件。根據疊加順序不同，可分為NPN型和PNP型兩類。
圖5 NPN 晶體管概要圖
以NPN型晶體管（圖5）為例，我們來看一下工作原理。
基區・發射區和二極管結構相同。在此外加正向電壓（0.7V左右）產生基極電流（IB）。大量自由電子從發射區流入基區，基區複合的載流子少於發射區擴散出來的，則自由電子剩餘。剩餘自由電子被集電極上外加的E2吸引。發射區擴散的載流子數量為複合載流子數量的10～數百倍，用此比率擴大IB，產生集電極電流（IC）。如IB為0時，發射區無載流子擴散，則IC也為0。也就是說，基區・發射區之間的正向電流IB可以控制基區・發射區之間的電流IC。這種特性適用於放大器和開關，構成電子電路的基本元件。通過組合這種晶體管可形成較為複雜的電子電路。
晶體管的開關工作
晶體管可得到大於基極電流幾倍的集電極電流。集電極電流與基極電流的比率稱之為直流電流放大率（HFE），比率約為100～700。如圖6所示電路中，IN上外加電壓為0V時，基極無電流，集電極也無電流產生，因此RL無電流通過，OUT上輸出電壓為12V。相反，在基區・發射區之間外加一定強度電壓（一般外加電壓0.7V以上電壓），則基極有電流通過，產生hFE倍的集電極電流。但實際通過的電流，因負荷電阻RL的存在，（12V－Vce-sat（飽和電壓））/RL受到限制。由於該開關電路的驅動電流很大，所以，常常被用在用MCU和邏輯IC等芯片不能直接驅動的控制場合，比如功率LED、繼電器和DC電機等的控制。
圖6 晶體管的開關工作
實現集成化的貢獻者
FET（Filed Effect Transistor：場效應晶體管）大致可分為MOS（Metal Oxide Semiconductor：金屬氧化物半導體）和結型兩類。特別是MOS型FET（MOSFET），與上述雙極型晶體管相比，其平面型結構以及相鄰同類元件間干擾極小，基本上無需分離使用，因易於集成化、細微化且低功耗，因此是IC和LSI中必不可少的元件。接下來我們來看看MOS型FET的工作原理。
圖7 N型MOSFET概要圖
圖7是N型MOSFET概要圖。G被稱為“柵”極，G下面是作為絕緣體的氧化膜，源極S和漏極D夾住柵極。柵極與源極之間電壓為0V時，N型半導體構成的源極和漏極之間夾入P型半導體，形成反向結合，形成絕緣。也就是說，源極和漏極之間無電流通過。
當在柵極上外加電壓時，自由電子被吸引到柵極下方。源極和漏極之間自由電子增多，電流容易通過。也就是說，可以通過向柵極外加電壓，來控制源漏極之間的電流。
其主要被用於開關電路及放大電路。當柵極上外加的電壓穩定不變時，源漏極間電流也穩定，因此可用作定電壓源。
柵極下面的電流通道為N型時稱為N型MOSFET，柵極下面的電流通道為P型時P型MOSFET。
數字電路的基本要素CMOS
CMOS（Complementary MOS）如圖8所示，是一種互補型連接的MOSFET。採用此種電路結構時，無論是IN電壓為0V，還是VCC的情況，只有一方的MOSFET為ON。因此從VCC到GND基本上無電流通過，可用於構成功耗極低的理想電路。現在的LSI和IC基本上都是由這種CMOS構成的。
圖8 CMOS
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