03.17 內存時序越小越好，為什麼DDR1到DDR4 時序值越來越高了？

內存參數中除了容量、頻率外，一般還有一組由四個用破折號分割的數字串，這就是內存的時序。

1.如何查看內存時序

購買內存時，一般參數中都會標註內存的時序信息。

使用中的內存可以用 CPUZ 進行查看。

CPUZ：https://www.cpuid.com/

如圖中的內存時序是 11-11-11-29

內存時序的四組數字分別對應的參數是：CL-tRCD-tRP-tRAS

CL（CAS Latency）CAS延遲時間，從打開正確行的DRAM讀取第一比特所需的週期數，它是內存的重要參數之一。

tRCD（RAS－to－CAS Delay）從行地址到列地址的延遲時間。

tRP（RAS Precharge Delay）行預充電時間。

tRAS（Row Active Delay）行活動時間。

和內存頻率一樣內存時序同樣代表了內存的性能高低。

內存時序表示的是內存工作中的延遲時間，較小的數值意味著性能越快。

然鵝，從DDR1到DDR4 我們發現 CL 值越來越高。

其實內存的絕對延遲需要將內存頻率與時序進行計算，否則無法直接通過時序判斷性能高低。

因為內存一個時鐘週期內傳輸兩次數據，將 CL 值乘以2，除以頻率得到內存的絕對延遲(ns/納秒)。

例如：

DDR3-1333 9-9-9-24：9*2/1333=13.5 ns

DDR4-2400 16-16-16-39: 16*2/2400=13.3 ns

通過計算可以看出，儘管 DDR4 的 CL 值更大，但由於更高的頻率使 CL16 的絕對延遲比 CL9 的更低了。

較小的時序意味這更快的性能只在同等頻率下成立。

拋開頻率看時序並沒有意義，而 CL 延遲的時間差距並不大，性能提升並不那麼明顯。