與非網 3 月 16 日訊，格羅方德與 Everspin 兩家公司合作歷史悠久，從最早的 40nm 的量產工藝，然後擴展到 28nm HKMG 和 22nm FD-SOI（22FDX）。
近日，雙方宣佈已將聯合開發的自旋轉矩（STT-MRAM）器件的製造，擴展至 12 nm FinFET 平臺（簡稱 12LP）。
格羅方德通過這項合作能夠利用已被廣泛採用的 12nm 工藝來生產單獨的 MRAM 芯片、或將之嵌入其它通過 12LP 技術製造的產品。如今，格羅方德已能夠製造嵌入式的非容失性磁性隨機存儲器（eMRAM）。而 Everspin 單獨的 256 Mb 和 1 Gb MRAM 器件，亦可通過 40 nm 和 28 nm 工藝量產製造。
通過將 STT-MRAM 縮小至 12 nm 製程，有助於雙方進一步拉低 1 Gb 芯片成本。以經濟高效的方式，生產更高容量的設備。儘管現有的 MRAM 芯片無法提供巨大的容量，但其在特定領域的應用仍相當受歡迎。Everspin 表示，該公司已向超過 1000 個客戶出貨 1.25 億個單獨的 MRAM 芯片。
此外，引用該公司的一份報告：到 2029 年，單獨的 MRAM 器件銷售額將達到 40 億美元。隨著對大容量 MRAM 產品需求的不斷擴展，未來還需要用到更先進的工藝。格羅方德在其 12LP 平臺（包括 12LP+）中增加了對 eMRAM 的支持，可極大地提升該製程節點的競爭地位，尤其是未來幾年發佈的主控 / 微控制器應用領域。
比如，群聯（Phison）和華瀾微電子（Sage）即將推出的一些企業級 SSD 主控，就會採用 Everspin 的 eMRAM 方案，而不是單獨使用該器件。eMARM 有望取代當前普遍採用的嵌入式閃存（eFlash），以克服 NAND 存在的耐久度和性能等問題。
作為一種磁性存儲元器件，MRAM 能夠感測由薄壁隔開的兩個鐵磁膜的各向異性。由於不使用電荷或電流，其能夠在現代製程節點的幫助下，實現更優秀的性能和耐久度。儘管 eMRAM 仍有其侷限性，但在其它技術出現之前，這種兼顧靜態（SRAM）和動態（DRAM）隨機存儲器特性的高度集成產品，仍然能夠在未來幾年內被各個廠商欣然應用於諸多設備。
格羅方德半導體股份有限公司(Global Foundries)是一家總部位於美國加州硅谷桑尼維爾市的半導體晶圓代工廠商, 成立於 2009 年 3 月 。格羅方德半導體股份有限公司由 AMD 拆分而來、與阿聯酋阿布扎比先進技術投資公司(ATIC)和穆巴達拉發展公司(Mubadala)聯合投資成立的半導體制造企業。
Everspin 是從飛思卡爾半導體公司分離出來的一家獨立公司。公司總部與晶圓廠均設於美國亞利桑那州錢德勒(Chandler)市。2006 年，Everspin 推出業界第一款商業化 MRAM 產品，同時是全球第一家量產 MRAM 的供貨商。今日，Everspin 目前的產品組合中擁有廣泛的 MRAM 產品線，這些 MRAM 密度從 512kb 到 16Mb,並提供串行和並行運算方式，已廣泛用在數據存儲、工業自動化、遊戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子領域。
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