與非網 3 月 31 日訊，美光宣佈將在 2018 年暫停 HMC 的工作，並決定致力於 GDDR6 和 HBM 的開發。因此他們將會在今年的某個時候發佈搭載HBM2DRAM的產品。
美光此前的開發重心都放在專有的混合存儲多維數據集(HMC)DRAM 類型上，但該類型的 DRAM 並沒有獲得太多客戶的青睞，因此沒有獲得足夠的支持。
據悉，美光將會在今年的某個時候發佈搭載 HBM2 DRAM 的產品。在其最新財報中，披露了旗下第二代高帶寬存儲器(HBM2)即將開始出貨。由於價格相對高昂，HBM2 主要應用於高性能顯卡、服務器處理器以及高端處理器中。
根據標準，第二代高帶寬存儲器(HBM2)指定每個堆棧 8 個裸晶及每針傳輸速度上至 2 GT/s 的標準。為保持 1024 bit 的訪問，第二代高帶寬存儲器得以在每個封裝中達到 256GB/s 的內存帶寬及最高 8GB 容量。業界預測第二代高帶寬存儲器對極其需要性能的應用程序，如虛擬現實，至關重要。
三星半導體早在 2016 年 1 月 19 日就宣佈第二代高帶寬存儲器的進入早期量產階段，每個堆棧均擁有 8GB 的內存；SK 海力士隨即宣佈在 2016 年 8 月發佈 4GB 版本的內存。
雖然美光有點姍姍來遲，但是隨著美光即將出貨 HBM2 顯存，存儲器市場將再次形成三雄鼎立的局面。
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