（TFT遲滯）造成短殘的原因：
1、柵間絕緣層內部缺陷態；2、多晶硅和柵間絕緣層間界面缺陷態。
載流子被陷阱捕獲及逃逸出陷阱這一過程隨著外加電壓不斷重複。當外加高柵壓，缺陷態捕獲載流子，使得閾值電壓升高，從而降低了電流；當外加低柵壓，缺陷態載流子被釋放，電流從而升高。
柵壓不是很大，時間不是很長，界面缺陷態佔主導；
高柵壓，長期偏置，內部缺陷佔主導。
255灰階的棋盤格降到48灰階後，原白格亮度低於原黑格亮度
由於TFT的遲滯效應，L255->L48，電流小於 L0->L48，因此造成了上述棋盤格短殘的亮暗顛倒現象。
評價短殘標準可分為：
光學類：
1、L48保持10秒，切換棋盤格10秒，再切回L48保持60秒，測出左側亮度變化情況L1;
2、L48保持10秒，切換棋盤格10秒，再切回L48保持60秒，測出右側亮度變化情況L2;
編輯錯誤，請忽略此行：回L48保持60秒，測出左側亮度變化情況L1;
當JND<0.004時，可認為短殘現象消失。
電學類：
1、Vgs從L255對應值變為L48的對應值，測量電流變化情況 I255；
2、Vgs從L0對應值變為L48的對應值，測量電流變化情況 I0；
當ΔIds ≤0.01可認為殘影消失。
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