振華科技（000733）2019年年度董事會經營評述內容如下：
一、概述
報告期內，面對經濟下行壓力加大、行業競爭加劇、國內外風險挑戰明顯上升的複雜局面，公司始終堅持軍民融合發展戰略，持續推進結構調整轉型升級，著力於提質增效、降本控險，強化創新驅動和管理對標提升，生產經營實現了結構優化、效益提升高質量發展階段性目標。全年，實現營業收入36.68億元，同比下降31.3%（按同口徑剔除深圳通信業務收入，同比增長11.05%），毛利率44.4%，同比提高19.1個百分點，實現利潤總額3.97億元，同比增長9.51%，歸屬母公司淨利潤2.98億元，同比下降2.7%，其中:新型電子元器件營業收入33.10億元，同比增長11.22%，利潤總額6.43億元，同比增長114.55%。新型電子元器件在國產化“剛性需求”和國內產業轉型升級牽引下，迎來了持續穩定增長期，高新應用領域（含航空、航天、電子等）配套保障能力得到持續增強，，國產化、高可靠性產品品種規格得到持續增加，“高新產品”訂單持續較快增長，在國內高新領域的行業地位得到進一步鞏固。在突出聚焦主業的同時，公司及時壓縮、退出“低收益、高風險”業務，如退出移動通信終端代工業務，壓縮汽車動力電池業務並調整進入特種電池應用領域等，因此，有效防範化解了經營風險，增強了持續經營能力，也對公司整體營業收入的增速產生了階段性影響。
二、核心競爭力分析
公司聚焦新型電子元器件，著力科技創新頂層設計、創新平臺建設、加大科技投入、關鍵技術攻關，科技創新能力進一步增強。完成了多款IGBT芯片研製，完成國內首個IGBT特種行業標準編制，IGBT模塊為多家用戶配套；兩款SiC肖特基二極管成功研發並通過試驗驗證；加快LTCC介質材料、MLCC介質材料的研發進程，LTCC工藝技術國內領先；晶界層陶瓷基片研發成功，關鍵指標達到國內領先水平。同時，公司在原有優勢產品基礎上，持續推進電阻器、電容器、疊層片式電感器、二極管、電磁繼電器、高壓直流接觸器、鈕子開關、按鈕開關、鋰離子電池、真空開關管等產品的技術升級。熱式斷路器、液壓電磁斷路器、導電聚合物電解質片式鉭電容器、開發系列LTCC低通濾波器、EMI濾波器、高可靠電源管理器等產品實現批量供貨；陶瓷基片、特種陶瓷粉、銀漿等電子功能材料實現成果轉化，新增經濟效益顯著。
報告期內，公司共申請專利237件（其中：發明專利92件），獲得專利授權181件（其中：發明專利46件）。報告期止，累計擁有專利1118件（其中：發明專利309件，擁有軟件著作權登記14件）。為公司進一步加快發展奠定了基礎。
三、公司未來發展的展望
（一）公司所處行業的發展趨勢及面臨的競爭格局
全球產業格局正在發生重大調整，新一輪科技革命和產業變革與我國加快轉變經濟發展方式形成歷史性交匯。信息網絡、人工智能、新材料、先進製造等領域呈現群體躍進態勢，顛覆性技術不斷湧現，催生新產業、新業態、新模式，科技創新成為打造國家競爭新優勢的核心，正在深刻影響和改變國家力量對比。國務院制訂《中國製造2025》發展綱要，明確指出大力推動十大重點領域突破發展，從制約我國製造業創新發展和質量提升的癥結——核心基礎零部件(元器件)、先進基礎工藝、關鍵基礎材料和產業技術基礎出發，以市場牽引、政策引導的財稅金融方式，支持以上重點領域跨越式發展。這必將帶動我國元器件行業的技術升級和快速發展。
自中美貿易摩擦以來，相關國內企業勢必加快國產化進程，轉向部分甚至全部國內配套，國內電子元器件產品市場和電子功能材料市場將迎來新一輪的競爭和發展的機遇。
（二）公司主要業務的發展趨勢
公司主業經過持續的結構調整、轉型升級，現已向核心業務新型電子元器件高度集中，與此同時，在國產化提速的驅動下，在大數據、區塊鏈、5G通信、人工智能、物聯網等新一代信息技術牽引下，公司核心主業處於重要戰略機遇期。MLCC介質材料等電子功能材料在滿足自用的同時開始向外批量銷售，IGBT、微波元件、高可靠宇航級元器件等高端電子元器件產品逐步批量應用於國家關鍵領域和行業重要部位，有機聚合物鉭電容、高壓高Q射頻陶瓷電容、芯片電容等新產品逐步融入行業主流市場，公司新型電子元器件業務正朝著縱向集成、橫向擴展、做強做優做大的目標加速演進、加快發展。
（三）2020年主要工作安排
1．深化產業轉型升級。一是聚焦國家供應鏈安全，擴大電子元器件產業規模，構建產業生態，切實提升公司元器件的保障能力。二是著力“十四五”超前佈局，聚力打造“電子功能材料研發、LTCC工藝、半導體器件工藝”三大支撐平臺，推動體系性變革取得新進展、市場化轉型開創新局面。三是深入研判、合理把握“逆週期”發展機會，圍繞產業核心競爭力提升，研究制定產業併購重組方案並適時推動。
2．推進重大項目建設。一是加快推進IGBT背面工藝線建設，打造高水平“設計+工藝+封測+應用驗證”生態。二是切實推進工信部工業強基項目“超微型MLCC介質材料”加快轉型升級步伐。三是抓好募投項目建設，通過項目建設鞏固和增強公司行業地位。科學合理地安排好募投項目的建設進度，確保募投項目實現達產達效的目標。
3.加快科技創新發展。一是著力優化頂層佈局，逐步構建以前瞻性技術、集成應用創新為核心的新興技術研究院，切實推動公司由電子元器件產品配套向板卡、部組件級應用方案的解決升級。二是強化與高校產學研協同，推動基礎元器件和關鍵材料領域合作，形成更多科研攻關成果。三是完成抗輻照VDMOS等一批關鍵核心技術；四是對標英飛凌現有產品體系，形成20款以上IGBT芯片譜系，完成2款SiC器件研發；五是完成LTCC介質材料、MLCC介質材料研發並推向市場。
