01 引言
本發明專利技術核心特點：
① 晶片兩電極焊盤設在兩對角園缺側壁上，焊盤間距和麵積大； ② 多層結構，降低同層晶片之間間距。
本文概述了本發明核心技術要點，介紹和分析了P 0.45和P 0.9 RGB顯示屏，以及P 0.4背光的技術方案。採用現有成熟的技術方法和設備，就可實現量產。
02 技術概述
小間距，mini/miro LED的技術障礙來自：
① LED晶片尺寸太小（電極焊盤間距太小、面積太小）； ② 隔壁鄰居太近（間距太小）。千萬上億個焊盤的焊連，良品率（成本）。
1. 本發明專利技術核心特徵
（A）晶片兩電極焊盤設在兩對角園缺側壁上。
設有晶片承載片，陣列地開有數多晶片嵌口，LED晶片嵌入晶片嵌口中。晶片嵌口兩對應的對角側壁上設置有連線焊盤，採用焊錫膏焊連兩電極。
（B）多層晶片承載片結構。
上圖（橫截面視圖）示出有三層，那麼每層的晶片密度只有三分之一，晶片之間的距離加大，該三層分別是，R層、G層和B層，構成全綵顯示屏。
2. 技術優勢分析說明：
（A）兩電極焊盤設在兩對角園缺側壁上，（1）晶片上的兩電極焊盤間距最大可能加大；（2）利用側壁加大了電極焊盤的面積，有利於焊接。
LED晶片嵌在晶片嵌口中，採用焊錫焊連兩電極，（1）無金線，（2）兩電極容易牢靠焊連，（3）易修補缺陷晶片和焊點（如右圖所示），因而，100%的良品率容易實現。
（B）多層晶片承載片結構，晶片承載片設有薄膜晶體管（FTF），（1）晶片之間的距離加大，避免了相鄰晶片的電極焊連線之間的干涉，有利於減小像素間距，（2）焊有LED晶片的承載片（以後稱之為LED單層片）就是一獨立的膜片（可設計成與其他的片沒有關聯），可單獨通電測試和修補，合格後再與其他的LED單層片貼合一體，實現100%的良品。
03 P 0.45 RGB LED全綵屏設計方案
1. 0.2x0.2 LED晶片
0.2x0.2是一常規LED晶片，不同只是對角園缺，電極焊盤設在該兩園缺側壁上。激光打孔，孔壁金屬化都是常規技術。
2. 晶片承載片
晶片承載片的厚度與LED晶片的一致（0.1mm）。晶片嵌口採用激光開孔、孔壁金屬化、柔性材料、薄膜晶體管（TFT），這都是常規技術。
3. 晶片嵌入晶片嵌口（打晶）
晶片嵌口的尺寸0.26x0.26，晶片與晶片嵌口之間四周有0.03的間隙，即打晶的精度誤差在±0.03即可，這是屬於常規精度。
4. 電極焊盤錫膏焊接
採用絲網印刷或噴墨式噴塗錫膏，錫膏塗敷的面積儘可能大，利用液態錫的表面張力，凝聚滲入兩焊盤之間的縫隙，因而錫膏的定位允許誤差加大，以上設計，錫膏的定位允許誤差±0.1mm，屬於常規的技術要求。
塗敷超量錫膏，採用吹氣或吸錫滾輪去除多餘的焊錫，更易確保焊接，降低精度要求。
以上方案所涉及到的設備、技術、工藝製程等都是現有常規的。
5. RGB三層拼合
第一層（層一）的外延層朝後，類似於所謂的倒裝，層二、層三的朝前。圖中示出，RGB三層的晶片前後之間部分層疊。
P 0.45的RGB LED 全綵屏，採用常規設備、技術、工藝製程等，就可實現。
拼合之前，每個單層都已經經過測試、缺陷修復工序，因而，100%良品率，輕易可得。
04 P0.4背光設計方案
LED晶片規格同樣採用0.2x0.2。
晶片嵌口的尺寸0.28x0.28，晶片與晶片嵌口之間四周有0.04的間隙，即打晶的精度誤差在±0.04即可，精度要求降低了。
只需兩層LED單層盤（晶片承載片），層一的外延層朝後，層二朝前。熒光層可採用絲印或貼熒光膜片方式設置。
拼合之前，每個單層都已經經過測試、缺陷修復工序，因而100%良品率輕易可得。
05 P0.9 RGB LED全綵屏設計方案
LED晶片規格同樣採用0.2x0.2，RGB三晶片在同一層，即只採有一片晶片承載片，三個晶片有一共用連線焊盤。
晶片與晶片嵌口之間四周有0.04的間隙，打晶的精度誤差在±0.04即可，常規技術。
晶片承載片沒有設置TFT，設有驅動PCB板，晶片承載片設有外連焊盤，驅動PCB板上有對應的焊盤相連，Φ0.2直徑的焊盤，可允許上下兩焊盤錯位誤差0.1mm，常規技術。
在與驅動PCB板焊合之前，焊好晶片的晶片承載片已經完成測試、缺陷修復工序，因而，100%的良品率。
06 後序及聲明
P 0.45 的RGB LED 全綵顯示屏完全可以滿足4K大屏電視機的需求，依據本發明專利技術方案設計，採用現常規技術和設備，就可實現100%良品率，有效低成本成本造價，解決由於價格影響市場的難題。數千億級的大市場將被引爆。
以上展示的屬於MiniLED，本發明專利同樣可大大地降低大間距LED顯示屏造價，同樣將顛覆大間距LED顯示屏工藝製程。
本發明專利將促進LED顯示和背光、面板行業發展步入一新時代，受益最大的是，當今產能嚴重過剩的LED外延晶片工廠。
在此，特別聲明，以上展示的LED晶片結構，在本發明專利（發明專利號：ZL20101055508.6，十年前）的保護範圍內，必須得到許可，方可使用。（投稿作者：深圳市秦博核芯科技開發有限公司 秦彪）
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