【前言】
大面积、高质量的二维晶体材料是实现其在光电、柔性器件等领域应用的前提，CVD 法是目前制备大面积二维晶体材料的最有效方法，并且获得的材料的质量和性能接近机械剥离法制备的材料。过渡族金属硫族化合物（TMDCs）作为非碳层状二维材料，是直接带隙半导体，并具有显著的量子自选霍尔效应、谷极化效应，在光电转换、自旋器件、柔性薄膜电子/光电子器件等方面具有重要应用前景。然而，由于金属和金属氧化物前驱体的高熔点特点，目前的制备方法中通常由金属或金属化合物的硫化、硒化和碲化来合成Mo、W系的TMDCs，而其他原子级厚度的过渡金属硫族化合物制备仍是个难题。但是，由金属-硫二元相图可知，在高温下（ >500 ºC）金属容易与硫化合形成硫化物，即使化学性质相对比较稳定的铂族金属（ Pt、 Pd、 Os）也会形成 PtS、RuS2、PdS、PdS2、OsS2等，这为二维TMDC材料的化学气相沉积制备提供了可能。熔融盐辅助法可以在相对低的温度下制备陶瓷粉末，这种方法最近也被用于促进单层WS2和WSe2的生长。
【成果简介】
今日来自新加坡南洋理工大学的刘政教授，日本国家高等工业科学技术研究所的林君浩博士以及北京中科院物理所的刘广同教授联合团队（共同通讯）
【图文导读】
图1. 化学气相沉积法生产TMCs的一般生长工
艺流程图
图2. 所用的过渡金属和硫属元素，以及所得
不同原子上薄的TMCs和异质结构的光学图像
图3. 具有代表性的单层材料在不同相态下的
原子分辨率STEM图像
图4. 反应机理