近日，媒體報道我國科學家現已獨立開創第三類存儲技術，實現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件，寫入速度是目前U盤的一萬倍，是國際半導體電荷存儲技術領域的一個全新突破，對我國科研技術的發展具有里程碑意義。
半導體電荷存儲技術
目前，國際上現有的半導體電荷存儲技術僅有兩種，一是易失性存儲，比如筆記本電腦中的內容，在斷電之後數據就會立即消息；二是非易失性存儲，比如我們日常辦公使用的U盤、T盤等，在寫入數據且設備不被損壞的情況下可保存10年。
自我突破
據悉，這項科學突破是由復旦大學科研團隊獨立完成，所屬實驗室是國家集成電路與系統實驗室的唯一單位，肩負著我國存儲技術技術領域研發的艱鉅任務。
此次研發的新型電荷存儲技術，新性地選擇多重二維材料堆疊構成了半浮柵結構晶體管：二硫化鉬、二硒化鎢、二硫化鉿分別用於開關電荷輸運和儲存，氮化硼作為隧穿層，製成階梯能谷結構的範德瓦爾斯異質結，實現了在取材、技術運用等方面上的創新，充分發揮了二維材料風度的能帶特性，既滿足了10納秒寫入數據速度，又實現了按需定製（10秒~10年）的存儲時間長、保密性等，是一項全新的技術突破，可立項為第三類存儲技術。
Intel存儲技術
提及半導體存儲技術，就不得聯想時下芯片巨頭公司英特爾。英特爾是世界上最大的半導體公司，也是第一家推出x86架構處理器的公司。
早在2015年7月底，英特爾就於中國美光聯合對外發布了兩家企業攜手開發的最新存儲介質：3D XPoint，稱這項技術對比當時的存儲介質，均實現了最高可達1000被的提升，且最重要的是3D XPoint應用在芯片之後，可實現非易失性的特徵，即斷電之後數據不會丟失。
至於更多的技術細節，在當時簡單的發佈會上，英特爾與美光並未過多透露。但有一點可以確定的是，實現第三類半導體存儲技術創新的，Intel應該領先於中國科學家。
但無可厚非的是，對於中國來說，此次復旦大學研發團隊實現第三類存儲技術的創新，是我國存儲技術領域內的第一個開創者，仍然值得得到全國人民的讚賞與支持。
閱讀更多 七號網 的文章
