位於新加坡國立大學（NUS）的新加坡太陽能研究所（SERIS）的研究人員宣佈，他們開發出一種用於金剛線多晶硅片切割(mc-Si)後納米級制絨的成本極低的技術。
新加坡太陽能研究所的研究人員宣佈，他們開發出一種用於金剛線多晶硅片切割後納米級制絨技術。
新加坡太陽能研究所指出，由於現有蝕刻工藝價格昂貴並且會降低轉換效率，廣泛使用的金剛線多晶硅片切割受到限制。反應離子蝕刻（RIE）並非低成本工藝，而金屬催化化學蝕刻（MCCE）技術會增加金屬顆粒汙染物。
新加坡太陽能研究所DWS硅片制絨技術的首席發明人黃穎（音譯）博士表示， “我們的技術更簡單、更便宜、沒有使用金屬，電池效率超過20％。出於這些原因，我堅信我們的技術會成為多晶硅太陽能電池製造商使用的主流制絨技術。”
新加坡太陽能研究所溼化學技術使用專有化學物蝕刻多晶硅片表面，生成小於入射光波長的納米級特性，這可以增強光捕獲，具有實現多晶硅太陽能電池20％轉換效率的潛力。
新加坡太陽能研究所指出，這種電池轉換效率比光伏領軍制造商們目前批量生產的電池轉換效率高出約0.5％（絕對值）。
新加坡太陽能研究所公司多晶硅片太陽能電池組負責人Joel Li博士補充表示：“我們使用我們的技術解決了光伏行業面臨的長期挑戰，這種技術已被證明是DWS多晶硅片制絨工藝的有效低成本方法。光伏行業可以利用我們的技術實現從漿料切割到更便宜的DWS多晶硅片的轉換，價格會降低5-15％。對於一家吉瓦級別的工廠來說，這意味著每年可節約1000萬美元成本。在光伏這一類對成本敏感的行業中，這種成本節約的水平非常具有吸引力。”
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