在美光遭到國內製裁的同時，另外兩大內存製造巨頭三星和海力士受到更多關注。SK Hynix去年在中國設立了海力士系統集成電路有限公司，專注於代工業務。據韓國Bizwire報道，Hynix已決定將其位於韓國清州M8工廠的老化200毫米晶圓生產線搬遷到中國繼續使用。
200毫米晶圓（8寸）在當前屬於較為落後的技術水平，但自去年以來，全球200毫米晶圓廠產能就一直存在短缺。儘管不涉及300mm工藝生產的尖端芯片，但200毫米產能可以滿足無晶圓廠設計公司的需求：對於大量在老舊200毫米成熟節點上製造的元器件，比如模擬器件、通信IC和傳感器，200毫米儘管落後但依然有市場需求。
雖然內存和閃存給SK Hynix帶來了豐厚的利潤，但SK Hynix希望減少對他們的依賴，並尋找新的增長點。內存雖然現在賺錢，但等中國掌握技術之後，誰又能預測未來的市場？
另一條消息，三星剛剛宣佈第五代V-NAND三維閃存進入量產階段。新一代3D閃存將使用96層堆疊技術，但存儲容量保持在單Die 256Gb不變。
在此之前3D閃存一直是以存儲容量作為主要增長點，第五代V-NAND只保留了64層堆疊初期的存儲密度，畢竟三星64層3D閃存進入SSD產品也還沒多久。三星將遠期目標設置在1Tb單Die容量，這將需要QLC形式閃存來實現。
儘管存儲容量沒有增長，但由於物理尺寸縮減，第五代V-NAND的存儲密度實際上有所增加。除此之外，第五代V-NAND將使用全新Toggle 4.0閃存接口，閃存芯片與主控之間的接口帶寬提升40%，達到1.4Gbps，閃存寫入延遲相比上代技術也將下降30%左右。第五代V-NAND還將使用1.2V電壓取代當前使用的1.8V電壓，從而帶來功耗方面的進步，移動電子設備將從中受益。
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