Author: Jackie Long
比较常用且简单的电压反接保护（Reverse Voltage Protect, RVP） 电路有很多，比如使用一个二极管串联在输入直流电源线路上，或使用全桥整流堆的方案，这些地球人几乎都知道，但这些电路都有共同的缺点：由于二极管有一定的压降，不适合输入电压比较低的应用场合，而且电流很大时损耗也很大（发热）
这里我们介绍一款高逼格的RVP电路，而且简单、实用、巧妙（用多少赞美的语言都无法表达对此电路的崇拜之情，膝盖早已献上，么么哒），适用于对保护电路要求更高的场合，可能大多数电子工程师都不知道，如下图所示的增强型NMOS管RVP电路：
当输入电压极性正确时，NMOS的寄生二极管将先一步导通，这样NMOS管的栅-源电压VGS约为输入电压（小一个二极管压降），如下图所示：
此时二极管是有一定压降的（有损耗），但VGS使NMOS管导通后将寄生二极管短路，此时电流将从NMOS管沟道流过，如下图所示：
现在的NMOS管导通电阻可以做到毫欧姆级别，因此损耗将非常低，
而当电源极性反接时，寄生二极管因反向偏置而截止，由于栅-源电压VGS不满足条件，NMOS管也是截止的，电路系统将不予工作，如下图所示：
上述电路仅适合输入电压不高于NMOS管栅-源电压（典型值不超过12V）的场合，否则将可能损坏MOS管，这时我们需要添加一些附属电路，比如电阻分压电路，如下图所示：
当然，如果你担心输入电压波动太大（从而分压过大），而且荷包也足够饱满的话，也可以加个稳压二极管，如下图所示：
用PMOS管也可以实现这个功能，如下图所示：
它的分析原理与NMOS管RVP电路完全一致，针对输入电压大于PMOS栅-源电压的场合，其附属电路与PMOS管也是一样的，本文不再赘述。
当然，NMOS管的导通电阻RDS(ON)比PMOS管小（参考文章"游泳成绩决定命运：PMOS管斗不过NMOS管的真正原因"），在适当的场合可以考虑这一点。
閱讀更多 電子製作站 的文章
