UnitedSiC UJN1205K 1200V SiC JFET
——逆向分析報告
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發現UnitedSiC最先進的碳化硅JFET的技術選擇及相關特性
據麥姆斯諮詢報道，基於碳化硅（SiC）的器件滲透率正在工業領域中不斷擴大，JFET就是其中之一。United Silicon Carbide Inc.（簡稱：UnitedSiC）提供兩種類型的中壓（1200V）碳化硅JFET，其中UJN1205K可承受最大的電流（38A）。
UnitedSiC的碳化硅產品UJN1205K封裝信息
這種JFET作為電路保護的理想解決方案被推向市場，因為它能夠處理峰值溫度並通過自發熱快速降低限制電流。該種器件還具有低導通電阻（45mΩ），但在25℃時具有很高的電流密度（4.08 A/mm^2），這在很大程度上歸功於其具有特殊觸點開口的溝槽結構。
UnitedSiC的碳化硅產品UJN1205K開蓋分析
UnitedSiC在其JFET結構中採用了獨特的傾斜注入（Angled Implantation）工藝來改善閾值電壓控制，以及用於柵極和源極觸點的硅化物來提升接觸電阻。
由於UnitedSiC的器件設計和工藝，UJN1205K成本非常具有競爭力。此外，其TO247封裝也經過優化以節約成本。
UnitedSiC的碳化硅產品UJN1205K芯片工藝分析（樣刊模糊化）
UnitedSiC的碳化硅產品UJN1205K部分工藝流程（樣刊模糊化）
UnitedSiC與Semisouth的碳化硅JFET產品對比分析（樣刊模糊化）
本報告對UnitedSiC的碳化硅產品UJN1205K進行深度技術剖析，還包括生成成本分析，以及與SemiSouth的JFET產品對比，從而突出設計技術和電氣參數的差異。
報告目錄：
Introduction
• Executive Summary
• Reverse Costing Methodology
• Glossary
• SiC Power Device Market
Company Profile
• UnitedSiC
• Portfolio
• Supply Chain
Physical Analysis
• Physical Analysis - Summary
• Package Analysis
- Package opening
- Package cross-section
• JFET Die
- JFET die view and dimensions
- JFET delayering and main blocs
- JFET die process
- JFET die cross-section
- JFET die process characteristics
Manufacturing Process
• JFET Die Front-End Process
• JFET Fabrication Unit
• Packaging Process and Fabrication Unit
Cost Analysis
• Summary of the Cost Analysis
• Yields Explanation and Hypotheses
• JFET Die
- JFET die front-end cost
- JFET die probe test, thinning and dicing
- JFET die wafer cost
- JFET die cost
• Complete Device
- Assembled components cost
- Assembly summary
- Component cost
Sales Price
Comparison of JFETs from UnitedSiC and SemiSouth
Company Services
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