UnitedSiC UJN1205K 1200V SiC JFET
——逆向分析报告
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发现UnitedSiC最先进的碳化硅JFET的技术选择及相关特性
据麦姆斯咨询报道，基于碳化硅（SiC）的器件渗透率正在工业领域中不断扩大，JFET就是其中之一。United Silicon Carbide Inc.（简称：UnitedSiC）提供两种类型的中压（1200V）碳化硅JFET，其中UJN1205K可承受最大的电流（38A）。
UnitedSiC的碳化硅产品UJN1205K封装信息
这种JFET作为电路保护的理想解决方案被推向市场，因为它能够处理峰值温度并通过自发热快速降低限制电流。该种器件还具有低导通电阻（45mΩ），但在25℃时具有很高的电流密度（4.08 A/mm^2），这在很大程度上归功于其具有特殊触点开口的沟槽结构。
UnitedSiC的碳化硅产品UJN1205K开盖分析
UnitedSiC在其JFET结构中采用了独特的倾斜注入（Angled Implantation）工艺来改善阈值电压控制，以及用于栅极和源极触点的硅化物来提升接触电阻。
由于UnitedSiC的器件设计和工艺，UJN1205K成本非常具有竞争力。此外，其TO247封装也经过优化以节约成本。
UnitedSiC的碳化硅产品UJN1205K芯片工艺分析（样刊模糊化）
UnitedSiC的碳化硅产品UJN1205K部分工艺流程（样刊模糊化）
UnitedSiC与Semisouth的碳化硅JFET产品对比分析（样刊模糊化）
本报告对UnitedSiC的碳化硅产品UJN1205K进行深度技术剖析，还包括生成成本分析，以及与SemiSouth的JFET产品对比，从而突出设计技术和电气参数的差异。
报告目录：
Introduction
• Executive Summary
• Reverse Costing Methodology
• Glossary
• SiC Power Device Market
Company Profile
• UnitedSiC
• Portfolio
• Supply Chain
Physical Analysis
• Physical Analysis - Summary
• Package Analysis
- Package opening
- Package cross-section
• JFET Die
- JFET die view and dimensions
- JFET delayering and main blocs
- JFET die process
- JFET die cross-section
- JFET die process characteristics
Manufacturing Process
• JFET Die Front-End Process
• JFET Fabrication Unit
• Packaging Process and Fabrication Unit
Cost Analysis
• Summary of the Cost Analysis
• Yields Explanation and Hypotheses
• JFET Die
- JFET die front-end cost
- JFET die probe test, thinning and dicing
- JFET die wafer cost
- JFET die cost
• Complete Device
- Assembled components cost
- Assembly summary
- Component cost
Sales Price
Comparison of JFETs from UnitedSiC and SemiSouth
Company Services
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