原标题：“NAND闪存+SSD主控”自主格局将形成？忆芯科技第二代SSD主控芯片性能显著提升
摘要：国内公司在SSD主控领域是新兴力量，但成长空间广阔，忆芯科技就是其中之一。近日，忆芯科技在2018美国硅谷闪存峰会上正式推出其第二代NVMe主控STAR1000P，对比第一代STAR1000，STAR1000P有了不错的性能提升。
集微网消息（文/小北）近日，忆芯科技在2018美国硅谷闪存峰会上正式推出其第二代NVMe主控STAR1000P，这是继去年11月推出首代产品STAR1000之后的又一重要举措。
助力数据中心关键应用，满足工业及企业级高可靠性
全新的STAR1000P具有高性能低功耗的特点，由于引入了DVFS技术、优化了动态时钟门控，在全性能模式下的功耗仅为2W左右。STAR1000P主机接口为PCIe Gen3 x4，支持NVMe 1.3协议、8闪存通道、最大8TB Flash容量，可实现3.5GB/s和3GB/s的顺序读写、600K IOPS的随机读写性能以及最低8us的写延迟。对比第一代STAR1000 3GB/s和2GB/s顺序读写的性能指标，STAR1000P有了不错的提升。
同样，STAR1000P的目标应用市场比第一代更为广泛。第一代STAR1000的定位是“高端消费级入门企业级”的高性能NVMe SSD主控芯片，而STAR1000P可以助力数据中心关键应用、满足工业及企业级高可靠性。
以上性能指标的提升为助力数据中心关键应用提供了保障。此外，STAR1000P除支持国际AES加密标准以外，也全面支持中国商密（SM2/3/4）安全方案；引入了第三代4K LDPC纠错码技术，可轻松应对3D TLC/QLC挑战，提升闪存纠错能力；增强了NVMe PI、EEEC、In-line ECC等软错误处理技术。这为满足工业及企业级高可靠性要求提供了保障。
国内SSD主控厂商成长可期
对于固态硬盘（SSD）而言，决定其性能和价格的核心部门就是NAND闪存和主控，物料成本的70%或更多为NAND闪存、10~15%为主控芯片。随着我国发力NAND闪存，国内厂商也纷纷投资SSD主控芯片领域，业内人士表示，“NAND闪存+SSD主控”的自主化格局将逐渐形成。
目前，主控芯片领域主要以美国Marvell 、韩国三星及中国台湾厂商慧荣（SMI）、群联（phison）、智微 （JMicron） 等公司为主导，国内公司在主控领域依然是新兴力量，很多公司都是最近三五年才成立的，但成长空间广阔，忆芯科技就是其中之一。
忆芯科技成立于2015年11月，是国内最早致力于高性能SSD主控芯片研发的初创企业，其创始人沈飞表示，“忆芯科技从创立至今，NVMe闪存控制技术数次迭代，快速经历了SSD主控MB1000原型验证，第一代NVMe主控STAR1000量产出货，到今天正式发布第二代高性能NVMe主控STAR1000P，核心技术完全自有可控，达到世界一流水平，充分展现了忆芯深厚的存储技术能力及强大的芯片研发能力。”
忆芯科技第一代NVMe主控STAR1000是当时国内首款被业界主流SSD厂商（光宝集团）所选用的主控芯片。据悉，忆芯科技和多家国内外知名厂商基于第二代STAR1000P的SSD产品已经展开了联合开发，这将帮助STAR1000P快速进入OEM渠道及客户级／企业级市场。
目前看，国产主控芯片在性能上逐渐追上国际水平，尽管市场份额还很小，但也逐步导入市场中。此外，国产主控芯片还有一个独特的优势——支持国内认证的安全加密，比如STAR1000P就支持中国商密（SM2/3/4）安全方案，这既是自主可控的要求，也是军工、特种行业的必备要求。同样，挑战与机遇同在，国产主控芯片需要与国产闪存经历一段磨合期，才能真正实现“NAND闪存+SSD主控”的自主格局。（校对/春夏）
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