先看个小笑话：
准岳父问：小伙子，你有房吗？
男：没有。
准岳父：你有车吗？
男：没有。
准岳父：什么都没有就给我滚！
男：我有镁光128G服务器内存条……
准岳父：傻孩子~ 外面风大，咱们进屋说话。
这则笑话反映了一个真实的问题：内存条价格之高！实际上，内存条价格不仅是高，而且在今年一开始就在持续上涨中，直到进入12月份才有降低的迹象。以京东商城销量最大的一款内存条来看，8G DDR4 台式机内存条，从2016年9月份的300元左右一路猛涨，最高涨到了今年11月左右的969元，涨了3倍还要多！最近才有一些回落，目前价格仍保持在高位。
那么，为什么今年内存条涨幅如此之高呢？背后有什么原因？还有，为何内存品牌只见国外不见国产？我将在这篇大咖说里为大家简单解答。
原因一：行业垄断，韩美为王
全世界半导体存储器市场主要有三大巨头：韩国的三星、海力士，还有美国的美光。DRAM内存芯片的生产更是掌握在他们手里，占据了90%以上的内存市场份额。其中三星规模最大，并且与其他两家的差距也在不断拉开。还记得“炸弹手机”——Galaxy Note 7吗？三星对它发起了全球召回，可以说是损失惨重，但三星在2016年却创造了业绩新高，原因就在于三星在存储器领域的优异表现，使得三星元气未伤。
科技含量高、资金投入高，造成存储器行业门槛高，也把一批厂商拦在门外。再加上队友不给力：东芝、尔必达等日本巨头受2008年金融危机重创，从此一蹶不振，东芝会计丑闻更是直接葬送了自己的核心业务，沦落到被收购的境地。日本半导体行业穷途末路，韩美逐渐发展垄断整个DRAM内存市场。
原因二：制程升级，产能不足
三星在内存制程上领先海力士、美光，这个问题可以从三星身上看到。
2014年——三星率先量产20nm工艺的DRAM内存，开始进攻18nm制式工艺。
2016年——三星率先量产18nm工艺的DRAM内存，20nm工艺产能扩大。
2017年——三星召回一批18nm制程的PC DRAM模组，这些18nm工艺的内存有可能会导致系统蓝屏。但是三星否认了这一消息。
这下尴尬了。为拉开差距而强力推行的18nm制程出了问题，还影响了原先成熟的20nm内存的生产。不管该事件是否真实，能够确定的是三星18nm制程内存进展并不顺利，技术升级还有一段很长的路要走。
原因三：移动崛起，僧多粥少
2017年是大数据、云服务、AI大发展的一年，对服务器的要求不断提升，服务器市场内存需求增加。同时也是手机内存更新换代的一年，以前的4G“大内存”现在只能成为标配，6G、8G成为旗舰主流。僧多粥少，PC端内存、移动端内存、服务器内存都要依靠三家行业巨头供货。既然是一样的供货，那么为什么不优先供给前景更好、利润更高的移动端呢？这就进一步挤压了原本就在萎缩的PC市场，货更少了，供求失衡，就导致价格的增长。
原因四：囤积居奇，层层加价
在内存厂商供货不足，价格上涨的情况下，一些经销商会采取一些手段，囤积大量的内存条，持观望态度，期待价格进一步上涨，可以获得更多收益。其实反过来看，目前内存条价格上涨，普通消费者的购买欲望就会降低，也会持观望态度，等待价格能够下跌。那么内存市场就在双方这种无休止的拉锯战中左右摇摆，还不是两败俱伤。
国产困境
生产芯片最重要的机器是光刻机（这个东西很复杂，我也不懂），简单说就是把硅片进行一系列技术处理，然后通过激光光束的能量，将线路图刻在硅片上，此时硅片还可以再进行技术处理，再继续进行光刻。通过一张图简单了解一下光刻机的工作流程。
全世界最大、最好的光刻机出自荷兰ASML，目前最先进的极紫外光刻机（EUV）制程可达7nm，也只有ASML能够生产。三星、台积电、Intel等半导体巨头的生产设备也大都出自ASML。中国要想生产内存芯片，光刻机是绕不过去的弯。但是，你懂的，这么牛掰的东西怎么可以让中国轻易得到？
《瓦森纳协定》（全称《关于常规武器和两用物品及技术出口控制的瓦森纳安排》）规定了：协定内国家对外出口像光刻机这种高新技术设备，需要“自愿”向其他国家通报有关信息。很遗憾，中国不是协定内成员，并且由于一些众所周知的原因，中国始终不能加入这一协定。这也就意味着，中国厂商无法获得世界最先进的光刻机，虽然ASML公司中国经理金泳璇说EUV不限制中国，但是可信度能有多高呢？只能获得ASML公司较为中低端的产品。
弯道超车
芯片依赖进口，始终制约着国家高精尖科技的发展，好在，国产已经有了眉目。在国家的大力支持下，以及中国厂商雄厚的资金背景下，一批国产DRAM内存生产企业即将面世。（图片信息更正：紫光投资300亿美元在南京建设自己的DRAM内存、NAND闪存工厂）
最后，借用一句伟人的话：
让那些内外的反动派在我们面前发抖罢，让他们去说我们这也不行那也不行罢，中国人民的不屈不挠的努力必将稳步地达到自己的目的。
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