FMS 2018閃存峰會前夕，首個消費級3D QLC固態硬盤——Intel 660p橫空出世。PCEVA第一時間綜合外媒報道為您帶來關於它的最新消息。
形態、容量、保修
英特爾660p使用M.2 2280規格，使用PCIe3.0 x4接口，支持NVMe協議，目標市場是入門與主流存儲。作為家用固態硬盤，512GB起步，最高2TB的存儲容量使得它能夠滿足倉庫型固態硬盤的定位。
英特爾為660p提供了5年保修，512G、1TB和2TB的標稱寫入耐久度分別為100TB、200TB和400TB，摺合到每天的寫入量為56GB、112GB和224GB，與當代入門級TLC固態硬盤類似。
主控、閃存結構
之前有消息稱Intel 600p將使用DRAM-Less無緩存設計，但最終結果是它搭載了SM2263的英特爾定製版，提供有外置緩存，不過不同容量版本都只搭配了256MB的外置DRAM緩存。
Intel 660p使用64層3D堆疊架構閃存，單Die容量達到1024Gb，依然使用Floating Gate浮柵結構。
SLC用的好，板磚也能飛上天
QLC閃存的自身性能顯然要比TLC更低一些，為此英特爾加強了SLC緩存算法的研究，為660p引入動態SLC緩存策略。在空盤條件下660p的SLC緩存容量設置有一個上限，隨著用戶數據的寫入，硬盤會調整SLC緩存的範圍實現容量與性能的均衡。
在沒有觸及SLC緩存壓縮線之前，英特爾660p的表現很多3D TLC固態硬盤一樣好。在Tom's Hardware的測試中，Intel 660p 1T（64層3D QLC閃存）甚至在PCMark 8實用性能測試中超越了Intel 760p 512G（64層3D TLC閃存）。在主控與閃存均存在劣勢的情況下660p能實現這樣的超越，只有SLC緩存算法優化這一個答案。
當然，以上只是空盤或少量空間使用率情況下的表現，重負載或者較高空間佔用率下肯定會有不同的表現，未來還需要更多的發掘和探索。據Anandtech對1TB版本的測試，SLC緩存用盡後660p的順序寫入速度大約100MB/s。QLC不適合重負載讀寫應用，尤其是接近滿盤的情況下660p的延遲會出現暴增（下圖橙色為空盤延遲，紅色為滿盤延遲）。
功耗不高、喚醒延遲略大
Intel 660p提供了5種Power State電源狀態，最高不超過4瓦的功耗表現足夠令人滿意。
不過從睡眠狀態喚醒的延遲表現就不太好了，儘管跟初代600p相比有了很大進步，但55毫秒的喚醒延遲依然顯露出了SMI主控的共性缺點。
便宜是最大殺手鐧
儘管有5年保修和英特爾的品牌影響力在，大眾對於QLC閃存肯定還是存有牴觸心理。破除牴觸的最佳方法就是用低價打動用戶的心。99美元的價格現在能買到一顆256GB的中高端NVMe固態硬盤，也能買到一顆容量翻倍的3D QLC入門級NVMe固態硬盤。
總的來說，Intel 660p的第一印象是：空盤或輕度使用條件下性能良好，是一顆不適合重負載應用的入門NVMe SSD，或者是搭配更強性能的NVMe SSD用作大容量倉庫副盤。同時滿足了價格便宜量又足特點的660p只要能順利通過寫入耐久這一關的考察，就不難進入主流大眾用戶市場。
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