11月8日，乾照光電(300102)發佈公告稱，為充分發揮公司已有的技術優勢、設備優勢、工藝優勢，提升產品結構，加快實現科技成果的轉化，公司擬出資15.97億元建設VCSEL、高端LED芯片等半導體研發生產項目，其中銀行貸款8.5億元，其餘由公司以其他方式自籌出資，該項目由公司全資子公司廈門乾照半導體科技有限公司(以下簡稱“乾照半導體”)負責承辦。
根據公告內容顯示，項目安排在2018年啟動，2019年上半年開工建設，建設期預計22個月，2021年建成投產，2022 年實現滿產運行。
作為國內LED芯片知名廠商，乾照光電主要從事半導體光電產品的研發、生產和銷售業務，主要產品為LED外延片和芯片及砷化鎵太陽電池外延片及芯片。
對於此次投資VCSEL、高端LED芯片等半導體研發生產項目，乾照光電錶示，“本項目建設對公司的戰略發展具有重要意義，不僅推動LED芯片技術升級、拓展應用範圍及高端產品國產化的需要，還可提升公司市場競爭力。”
眾所周知，我國是傳統照明產品的製造和消費大國，半導體照明作為新型的節能環保技術，未來3-5年將是跨越式發展的階段，對於芯片製造企業來說，必須要做好充分準備應對市場需求的快速提升，特別是對高性能低成本的芯片產品。因此，乾照光電以發展高端產品倒逼整體芯片技術進步，通過高端LED芯片提高市場滲透率。而本項目建成達產後，將有利於推動高端可見光半導體LED芯片的國產化進程，降低終端應用產品的生產成本，促進產業健康發展，完善我國自主的LED產業鏈，提升我國半導體產業的國際競爭力。
近兩年，乾照光電的產品品質和知名度不斷提升，市場對其產品的認可度也不斷提高，但與臺灣晶電等國際廠商相比，規模仍有較大的提升空間。同時，隨著客戶面不斷拓展以及客戶對高端產品需求的日益增長，乾照光電現有規劃的產能已無法與其市場地位相稱。因此，為了提升規模效益，提高客戶忠誠度，進而保持市場領先地位，乾照光電擴產項目建設勢在必行。
除了重點投資高端LED芯片，VCSEL也是乾照光電此次重點投資對象。
根據資料顯示，VCSEL，全名為垂直腔面發射激光器，以砷化鎵半導體材料為基礎研製。目前，用砷化鎵製作的器件，具有高頻、高速和光電性能，主要用於通信產業。而第三代的材料氮化鎵屬於寬禁帶半導體材料，以其寬禁帶、高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移率、化學性能穩定等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。
而砷化鎵/氮化鎵半導體器件主要依附於MOCVD進行外延生產，技術含量高；在軍用和民用無線通訊等領域需求旺盛，而國內相關廠商稀缺，國家正大力支持該行業的迅速發展。乾照光電憑藉在砷化鎵和氮化鎵光電器件領域多年研發和生產的積累，通過本項目的建設，將有助於在其他市場領域的突破，對戰略發展具有重要意義。
值得一提的是，本項目投產後，預測達產後年銷售收入96628.29萬元，達產年利潤總額23,690.91萬元，達產年投資利潤率17.71%，投資利稅率18.63%，全部投資所得稅後財務內部收益率為21.72%；投資回收期6.01年。可見，項目財務效益較好，有較強的清償債務能力。
由於本項目的產品方案是根據行業市場現狀及發展趨勢結合項目具體狀況制定，符合市場需求和項目定位，是可行性的。再加上外延芯片的工藝技術通過自身團隊研究創新，可以達到國內領先水平，符合項目技術要求。
與此同時，本項目的實施，可以對地區的半導體發展有明顯的推動作用。同時，該項目的建設對廈門打造半導體高端產業集群計劃的實施具有重要意義。在環境保護方面，本項目利用原有環保體系，完全可以達到環保標準，不會對環境造成影響。
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