在上個月進行的IEEE國際設備和系統路線圖（IRDS）會議提供了內存和存儲技術的發展方向。鑑於IEEE電器和電子工程師協會的地位，這份路線圖預言了未來十年的內存/硬盤“長什麼樣”，我們一起來看下。
首先是新興內存設備，大容量存儲設備新增了DNA內存，STT-RAM由於技術逐漸成熟，被從"新興技術"調整到"原型產品"類別。現在已有使用MRAM/STT-RAM部分取代高速SRAM緩存的設計思路，或許未來的CPU會更多的集成使用它們的L4緩存。
DNA存儲未來可能會取代每10年需要重新複製一遍的磁帶技術，實現海量數據存檔記錄。2018年Nature雜誌發表首份基於DNA的隨機存取存儲器（RAM）報告，揭示了DNA內存不僅能提供破紀錄的存儲空間，還有望像內存一樣隨機讀寫。不過這項技術距實用化還有很長的路要走。
記憶體從速度、容量和延遲劃分，基本可以分為處理器緩存、運行內存和存儲器。由SRAM構成的高速緩存集成在CPU內部，未來MRAM和FeFET也有望加入到其中。
目前主要由DRAM內存構成的運行內存會迎來包括3D XPoint內存條等新成員的加入，這些新技術內存通常具備斷電後數據不丟失的特性，顛覆過去運行內存關機一定清空的傳統，同時在容量上也比DRAM內存更大，被稱為"存儲內存"。
最後就是由3D閃存固態硬盤和機械硬盤構成的持久存儲器（斷電後保持數據）。IEEE預測，10年後（2028年）3D閃存的存儲密度相比現在增長5倍左右。
通過上表還能發現，無論是2D平面還是3D堆疊閃存，在半導體工藝節點上都已經達到極致，除了已經開始的TLC->QLC演變之外，提升存儲容量和密度的主要手段就是堆疊層數的增長。
隨著近期閃存供過於求、價格大幅走低，各閃存原廠已經放緩或延後96層3D堆疊技術的應用。美光與三星目前生產的QLC閃存都使用了64層堆疊技術，而東芝雖然發佈了96層堆疊的BiCS4（QLC類型單顆容量1.33TB），似乎是出於成本效益因素，也沒有快速投入大規模應用。從現在到2019年上半年，固態硬盤價格將繼續降價勢頭，而下一輪的成本突破可能要比原本預計的時間延後一些。關注PCEVA，探尋真正的電腦知識。
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