12月7日，以"產融合作助力發展"為主題的"2018中國寬禁帶功率半導體技術論壇及產業發展峰會"在山東濟南舉行。30多位來自中國、美國、澳大利亞等國家的頂級專家，中車集團、國家電網等寬禁帶半導體技術和產業領域內的160家企業，國家開發投資公司、國家開發銀行、國家集成電路大基金等40餘家知名金融機構共同與會，研討寬禁帶功率半導體產業發展和產業鏈建設，開展產業與金融對接。
中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟(以下簡稱"中寬聯")理事長宗豔民表示，與硅半導體相比，我國新一代寬禁帶半導體與發達國家差距相對較小，是我國半導體產業趕超世界發達水平的最好機會。同時，中寬聯誕生於山東濟南，非常希望中國的寬禁帶半導體能夠發展于山東，發展於濟南，打造中國寬禁帶半導體的創新和產業高地。國家集成電路產業投資基金股份有限公司總裁丁文武表示，寬禁帶半導體是新一代半導體的重要發展和突破方向，國家高度重視。國家集成電路產業投資基金也始終高度關注，將繼續與中寬聯保持密切合作，共同推動我國寬禁帶功率半導產業的發展。
中國科學院微電子所所長葉甜春在致辭中表示，半導體產業難度高、週期長、投入大，我們國家發展半導體產業必須下定決心走自主創新，自主可控的發展道路，同時保持開放姿態，融入全球產業生態圈。他認為，只要政府和社會各界廣泛支持，推動行業穩定持續發展，我國的半導體產業，特別是寬禁帶半導體產業在未來10-15年內必將取得重大突破。
中國科學院院士郝躍、中國工程院院士湯廣福、美國美國紐約州立大學石溪分校教授Michael Dudley、澳大利亞昆士蘭微納米技術中心主任 Sima Dimitrijev等國內外專家合產業界人士分別就寬禁帶半導體的技術和應用進行12項專題技術報告，展示了寬禁帶半導體的最新技術進展和廣闊發展前景。
峰會同時舉行了以"產融合作，助力發展"為主題的產業論壇，來自寬禁帶功率半導體業內產、學、研、金各方面代表圍繞我國寬禁帶半導體領域深化產融合作，推動產業發展了深入探討，提出了許多針對性意見和建議。會上還舉行了《寬禁帶功率半導體發展路線圖》發佈儀式。
據悉，中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟是在工信部電子信息司指導下於2013年12月在濟南成立，發起單位包括山東天嶽、中車時代、國網全聯院、中國電科集團相關院所等企業。首屆理事長單位為山東天嶽先進材料科技有限公司。作為世界上第一個寬禁帶半導體產業聯盟，聯盟鼎力支持國家寬禁帶功率半導體技術及產業發展頂層設計，並在寬禁帶半導體技術和產業發展方向、標準制定、合作交流等方面開展了積極探索和紮實工作，在我國寬禁帶功率半導體技術及產業大重大政策研究支持和產業發展推動等方面發揮了重要作用，在行業內具有重要影響力。
什麼是寬禁帶功率半導體?
寬禁帶功率半導體是繼硅半導體後新近發展起來的新的一代半導體材料，是國民經濟發展的戰略性、先導性產業，具有技術先進、應用領域廣泛等特點，是培育戰略性新興產業、發展電子信息經濟的重要支撐。它具有工作溫度高、高電壓、高頻率、大電流等卓越的性能優勢，在已經應用的照明、電力電子、微波通訊等領域表現出了顛覆性的效果:
在照明領域可以實現節能90%;在電力電子領域可以實現節能30%以上，系統體積減少三分之二的卓越效果;在微波通訊領域它實現了大功率長距離的輸送，是5G必須的基礎材料。一定程度上沒有碳化硅襯底材料就無法實現5G。國內外半導體技術和產業界一致認為，碳化硅功率半導體的應用和發展在人類發展史上具有里程碑式的重大意義--金屬材料成就了機械化時代，硅半導體材料成就了信息化時代，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體將成就綠色、智能時代。它的廣泛應用將解決世界兩大難題:節能環保和人工智能。發達國家都把發展寬禁帶功率半導體作為國家戰略，我國在中國製造2025和"十三五"規劃中也都做了重點佈局。
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