微訪談：Navitas首席執行官Gene Sheridan
據麥姆斯諮詢報道，目前技術已多次證明GaN（氮化鎵）在眾多功率開關應用中具有取代Si（硅）的巨大潛力。正如Yole Developpement（以下簡稱YD）在
《功率GaN：外延、器件、應用及技術趨勢-2018版》中報道，即使GaN市場份額很小，但有信心看到GaN器件滲透到不同應用中，從與數據中心和包括快速充電器消費類相關的電源產品開始。在日益增長的功率GaN市場中，我們將在今年的訪談中具體討論其最重要的技術趨勢之一——“集成解決方案”。據悉，目前眾多參與者已經開始構建集成解決方案，以搶佔系統級成本優勢。現在，我們觀察到如納微（Navitas）公司，已具備包括硅基驅動器和HEMT（High Electron Mobility Transistor，高電子遷移率晶體管）的系統級封裝解決方案，以及由驅動器、ESD保護和其它功能與HEMT單片集成的片上系統解決方案。事實上，片上系統解決方案對於終端用戶來說非常具有吸引力，如果設計得當，此款產品將更易於使用，同時還能提高效率並減少連接損失。
通過這項技術，Navitas則成為了片上系統解決方案的先驅，目前其產品GaNFast正在批量生產，初步面向快速充電器和旅行適配器等市場。2018年12月，中國知名充電品牌Anker正式推出了其使用Navitas公司GaNFast技術，可為手機和筆記本電腦充電的USB-C充電器。近日，YD很榮幸邀請到Navitas的首席執行官Gene Sheridan，講述Navitas的GaN技術現狀和未來幾年的公司規劃。
此次採訪由來自YD公司電力電子技術和市場分析師Ana Villamor博士、化合物半導體和新興材料高級技術和市場分析師Hong Lin博士以及化合物半導體和新興材料技術和市場分析師Ezgi Dogmus博士共同完成。
YD：您能簡單介紹一下Navitas公司嗎？
Gene Sheridan（以下簡稱：GS）：Navitas是世界上首家GaN功率IC公司，成立於2014年，由一支在功率半導體行業研發新技術和建立新業務方面都創造了眾多輝煌記錄的團隊共同組建。
Aukey移動電源採用Navitas的GaNFast技術，使充電速度提高三倍，尺寸和重量減輕一半
YD：Navitas公司的商業模式是什麼？為什麼會選擇這種商業模式？
GS：Navitas主要銷售GaNFast功率IC。我們還提供特定應用的參考設計，展示我們在GaN 功率IC方面的顯著系統優勢，同時也為客戶的下一代產品設計提供了良好的起點。
YD：與其它GaN公司的產品相比，Navitas的產品有哪些亮點？
GS：Navitas發明了世界上第一款將功率、模擬和邏輯電路單片集成在GaN上的GaN功率IC。鑑於GaN在處理高壓和高電流方面優於硅的固有優勢，同時還具有極高的開關速度和效率，這種高度集成可使電力系統實現前所未有的功率密度並節能，同時還能降低BOM（Bill of materials，物料清單）系統成本。
YD：Navitas目前GaN產品的研發狀況如何？
GS：已發佈的所有產品均符合JEDEC標準及更高標準，並大批量生產。目前我們的客戶已大量生產24W、27W、30W、45W USB-PD以及其它產品，大家可以在亞馬遜或其它網點購買。
採用GaNFast技術的Aukey USB-PD（Type C）適配器
YD：Navitas公司是GaN功率IC的先驅，引領當前的技術趨勢。您是如何看待單片集成和Si+GaN集成解決方案的？
GS：GaN是集成所有功率和混合信號電路的首選技術，涉及高電壓或高功率，器件之間的寄生元件也至關重要。而硅最適合低壓、低功率電路，如MCU（Microcontroller Unit，微控制單元）、DSP（Digital Signal Processing，數字信號處理）或某些ASIC（Application Specific Integrated Circuits，專用集成電路）控制器等。因此，這裡有一種自然而然同時也令人信服的劃分，可將硅作為功率系統的低壓、基於邏輯的系統控制器，同時將GaN用於整個高壓功率系統，包括驅動器、電平轉換器、隔離器、自舉電路、啟動電路、電壓調節器、保護和感測電路以及所有功率器件等。
YD：快速充電器和旅行適配器是Navitas的主要目標市場嗎？或者說，貴公司的目標是將GaNFast IC引入到其他市場？如果是，會是什麼市場？
GS：我們最初的目標市場的確是快速充電器和旅行適配器，但目前我們正在拓展到更高功率的市場，包括LED照明、企業設備、太陽能逆變器、電動汽車（EV）和能量儲存等領域。
全球最薄的採用GaNFast技術的通用旅行適配器：Mu One 45W USB-PD
YD：根據某些中國網站報道，中國充電品牌Anker在2018年3月投資了Navitas公司。是否能透露更多關於此次合作和未來前景的信息嗎？
GS：我們不會透露或評論誰是或不是我們的戰略投資者，但是我們可以說Anker是Navitas的優秀客戶和合作夥伴，是快速充電器和旅行適配器領域領先的高端品牌之一。
YD：封裝是影響GaN器件性能的關鍵因素之一，您對GaN器件的封裝方式有什麼看法？
GS：目前，我們採用的是普遍的QFN（Quad Flat No-leadPackage，方形扁平無引腳封裝）表面貼裝封裝技術，可提供GaN功率IC所需的更高I/O（Input/Output，輸入/輸出）引腳數，同時實現高密度覆蓋、良好的熱性能、低寄生效應和低成本。隨著我們向更高功率市場的擴展，我們將把QFN技術擴展到更大、更低的RDS設備，以及新的封裝技術中。
45W壁式充電器
YD：我們對GaN器件使用的嵌入式封裝非常感興趣。您有什麼看法？
GS：嵌入式封裝既具有優勢，也存在一些問題。多層銅互連在佈線、協同封裝和熱管理方面具有一定的靈活性。與QFN相比，嵌入式封裝還處於早期階段，並且成本相對較高。未來還需要精心設計和使用，以避免與壓力相關的問題和隨環境惡化的失效問題。
YD：Navitas公司未來五年的產品路線圖是什麼？
GS：除了擴展上述的市場和封裝之外，我們的客戶有望在未來五年內看到Navitas的GaN功率IC實現更高水平的電路集成、更高的開關頻率和更高的能效。雖然我們現有的GaN功率IC技術已經提供了前所未有的集成度和性能水平，但這只是我們的初期產品，未來還有更多迭代產品，敬請期待。
延伸閱讀：
《功率GaN：外延、器件、應用及技術趨勢-2018版》
《GaN Systems氮化鎵HEMT：GS61004B》
《硅上氮化鎵（GaN-on-Silicon）晶體管對比分析-2018版》
《Transphorm低成本硅基GaN HEMT：TPH3206PS》
《RF GaN市場應用、技術及襯底-2018版》
《全球氮化鎵半導體器件市場-2017版》
原文鏈接：http://www.mems.me/mems/micro-interview_201901/7638.html
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