海思麒麟600系列一直是手機中端SOC的有力競爭者，麒麟650系列在16年初推出後，至今仍舊應用在華為榮耀的千元機上，和高通625一樣，堪稱中端元老級的兩個SOC。
17年下半年，高通625的繼任者高通630推出，然而這款SOC的市場卻表現平平。就在不久前，紅米note5在印度發佈，其搭載的高通636被寄予厚望，相比於630的有限升級，驍龍636在CPU上提升比較大，kryo260在單核性能大幅升級，對DDR4X的支持，繼承驍龍660的DSP和ISP也讓驍龍636的外圍比驍龍625提升明顯。 而麒麟650的繼任者到現在都沒有官方消息，但據可靠消息，麒麟650的下一代將於2018年Q2發佈，具體命名不詳。而且，下一代麒麟600系列將是有“大核心”的SOC。也就是說，“麒麟670”將不再是現在的8個“A53小核心”的架構，將直接和高通驍龍670，聯發科P70，三星7885進行競爭。這三款SOC都是大小核心架構。據說，這次“麒麟670”將搭載海思自研架構的核心，代號MOSCOW，相比於之前的麒麟SOC直接採用公版架構，海思自研架構可能在某些設計上做了更改，至於能否在公版架構的基礎上更上一層樓，現在還不得而知，麒麟600系列搭載自研架構，應該是在為麒麟980試水。
其他當面，“麒麟670”將和麒麟970一樣，搭載專門為人工智能加速的NPU，由寒武紀科技提供的寒武紀1A核心，提供1.9T FLOPS的浮點算力，這是相比於其他中端SOC（如驍龍670）的優勢所在，NPU在目前應用場景主要是拍攝場景識別，OCR加速，應用範圍還比較窄，但對於一款中端SOC來說，1.9T FLOPS浮點算力的NPU將足於挑戰目前競爭對手最頂尖的旗艦SOC（A11為0.6T FLOPS），最有可能應用方向就是改善目前中端機型在拍照當面的弱勢。
至於“麒麟670”將採用何種製程工藝，有消息稱將是TSMC（臺積電）的12nm工藝，TSMC的12nm工藝——從Volta的晶體管密度來看，它跟目前的16nm FinFET Plus（FF+）工藝變化不大，TSMC之前也提到12nm工藝實際上是基於16nm改進而來的，後者目前有16nm FinFET、16nm FF+（FinFET Plus）及16nm FFC三個改良版，其中性能最高的依然是16nm FF+，上一代麒麟650採用的是16nmFET工藝，如果“麒麟670”採用12nm工藝，這將是一個不小的改進。
最終極的懸念是，哪款機型將首發“麒麟670”…
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