中微半導體成立於2004年5月，註冊資本4.81億元，是由尹志堯博士等40多位半導體設備專家創辦，是國內首家加工亞微米及納米級大規模集成線路關鍵設備的公司，主要深耕集成電路刻蝕機領域，研製出中國大陸第一臺電介質刻蝕機。

目前，在全球可量產的最先進晶圓製造7納米生產線上，中微半導體是被驗證合格、實現銷售的全球五大刻蝕設備供應商之一，與泛林、應用材料、東京電子、日立4家美日企業為7納米芯片生產線供應刻蝕機。此外，中微半導體自主研製的5納米等離子體刻蝕機經臺積電驗證，性能優良，將用於全球首條5納米制程生產線

在VLSI(美國領先的半導體行業市場研究公司)去年12月發佈的2018年年終盤點中，中微(AMEC)在全球薄膜沉積設備供應商中排名首位，在蝕刻和清洗設備中排名第二。

主營範圍：研發、組裝集成電路設備、泛半導體設備和其他微觀加工設備及環保設備，包括配套設備和零配件，銷售自產產品。提供技術諮詢、技術服務。2017年銷售額在10.5億遠左右。

主要產品：

Primo D-RIE：

中微自主研發的300毫米甚高頻去耦合反應離子刻蝕設備可以用於加工64/45/28納米氧化硅（SiO），氮化硅（SiN）及低介電係數（low K）膜層等不同電介質材料。

具備高生產率、高性能的小批量多反應器系統可以靈活地裝置多達三個雙反應臺反應器，以達到最佳芯片加工輸出量。每個反應器都可以實現單芯片或雙芯片加工。該設備具有獨特的專利創新技術，包括甚高頻和低頻混合射頻去耦合反應離子刻蝕的等離子體源，等離子隔離環及碳化硅噴淋頭設計等。

高頻去耦合反應離子刻蝕設備

這是業界首次在同一機臺上實現單芯片或雙芯片隨意轉換的加工設備。

Primo AD-RIE

Primo AD-RIE™是中微公司用於流程前端（FEOL）及後端（BEOL）關鍵刻蝕應用的第二代電介質刻蝕設備，主要用於22納米及以下的芯片刻蝕加工。基於前一代產品Primo D-RIE刻蝕設備已被業界認可的性能和良好的運行記錄，Primo AD-RIE做了進一步的改進：採用了具有自主知識產權的可切換低頻的射頻設計，優化了上電極氣流分佈及下電極溫度調控的設計。

Primo AD-RIE已經成功通過了3000片晶片馬拉松測試。除已證實其具備更優越的重複性及穩定性以外，該產品還可將晶片上關鍵尺寸均勻度控制在2納米內。

產出率比市場上其它產品提高30%，主要用於流程前端蝕刻的第二代電介質蝕刻設備。

電介質刻蝕設備

Primo TSV

中微的8英寸硅通孔（TSV）刻蝕設備Primo TSV200E™結構緊湊且具有極高的生產率，可應用於8英寸晶圓微電子器件、微機電系統、微電光器件等的封裝。繼中微第一代和第二代甚高頻去耦合等離子體刻蝕設備Primo D-RIE™ 和Primo AD-RIE™之後，中微TSV刻蝕設備的單位投資產出率比市場上其他同類設備提高了30%。可應用於8英寸晶圓微電子器件。該產品佔據了約50%的國內市場，而且進入了臺灣，日本和歐洲市場。特別是博世半導體與意法半導體都採用了此設備。