大自然特別奇妙，讓元素週期表上的IV族元素的單質個個異常優秀——
IV族元素排首的碳（C），是生命必不可少的組成元素之一。此外，它的單質可以為火鍋、烤肉提供溫度，也可以是導熱性能優良的第三代半導體；它可以是性能優良的石墨烯，但是搖身一變就成為堅貞愛情的見證；它柔弱，可以穿在身上，冬暖夏涼；它堅硬，能切割一切，所向披靡。
而IV族元素排第二的是硅（Si)，是地球上含量僅次於氧（O)的元素。主要存在於不起眼的小石頭中，可變成單質就能讓電子設備的體積越來越小，運算速率卻大大提升；它把太陽能轉化成電能，也鑄成了半導體行業發展的里程碑。其晶體結構和金剛石相同。
碳和硅都這麼優秀了，可是怎麼還出了一個碳化硅（SiC）？？？
一山更比一山高，碳化硅的出現絕非偶然，都是因為一個詞——優秀！
其實，自然界也是存在天然SiC礦石，而且非常罕見。它就是——莫桑石。
下面是寶石行業常用的參數：1⃣️火彩，莫桑的火彩是鑽石的2.5倍；2⃣️色散值，鑽石是0.044，莫桑是0.104；3⃣️折射率，鑽石是2.417，莫桑是2.65。4⃣️莫氏硬度，鑽石是10，硬度之王非它莫屬，莫桑石是9.2-9.8，也遠高於其它寶石。所以，相同條件加工後的莫桑石會比鑽石更加”閃耀“。
但是，天然莫桑石非常稀少，稀少到僅出現在五萬年前隕石坑內。所以有人說：天然莫桑石比起天然鑽石更能代表愛情。
單單因為顏值，SiC就能讓相寧這麼誇讚嗎？非也，而是因為它也有優良的物理性能，這也是支撐它在工業生產、半導體行業等多個領域有一席之地的重要原因。
你可能沒見過莫桑石，但你一定聽說過金剛砂，這個類似“金剛石”的名稱已經霸氣側露的表示出了它的硬度。常見的作為磨料、耐火材料的金剛砂分黑色和綠色兩種。但是，這類金剛砂都是通過石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑等原料通過電阻爐高溫冶煉而成的。純的SiC晶體是無色透明的，帶有顏色是因為它們內部摻有一些雜質，純度並非100%。
SiC是C和Si唯一穩定的化合物，也是一種共價化合物，有閃鋅礦型（立方晶系，空間群F4-3M ）和纖鋅礦型（六方晶系，空間群Pmc）兩種結晶形式，200餘種多型體，且不同結構材料之間的電學、光學等性能各不相同。
SiC是第三代半導體材料中應用最為成熟的材料之一。第三代半導體即寬禁帶半導體，主要包含包含碳化硅、氮化鎵、氮化鋁、氧化鋅、金剛石等（第一代半導體主要是Si、Ge等單質半導體材料；第二代半導體主要是指GaAs、InP等化合物半導體材料）。SiC的禁帶寬度為Si的2-3倍，導熱率為Si的4-5倍，擊穿電壓為Si的8倍，電子飽和漂移速率為Si的2倍。所以，SiC特別適於製造高溫、高頻、抗輻射及高功率的器件。
目前，採用SiC製備LED照明設備的技術已經十分成熟，也已經開始應用於半導體激光器和探測器上。採用SiC製成的發光二極管輻射波長可以覆蓋綠光到紫光（400-550nm）波段，在光信息顯示及光集成電路等領域中具有廣闊的應用前景。
在市場上，SiC光電子、功率和微波等三類器件也已經廣泛使用，如PIN二極管、肖特基二極管、MESFET、MOSFET、晶閘管、SiC基發光二極管等。這類電力電子器件就是利用了SiC耐高溫、高頻、高壓及高功率的優勢。舉個例子，Si器件的最高工作溫度大約200℃，可是SiC器件在400℃的時候還能運轉飛速。但是因為成本問題，SiC電子器件主要在應用於軍用飛機、艦艇等，目前民用市場還比較有限。
有人說，我們對Si的瞭解程度在“博士”水平，但是對於SiC的瞭解就像是“小學生”。我們不禁心生疑問：
人類在1905年就在隕石中發現SiC晶體了，1907年第一隻SiC晶體二極管就誕生了。已經一百多年過去了，SiC在半導體領域的優勢又那麼多，可為什麼對它仍知之甚少呢？？？
答案總結為一個字，那就是：少！
“物以稀為貴”是亙古不變的道理。自然界中的莫桑石稀少到根本沒有開採價值，可遇不可求。更殘酷的是，人造高純度SiC單晶的條件又十分苛刻，尤其是很難達到製作半導體光電器件的級別要求。
SiC的熔點小於金剛石，大於Si單晶。所以在Si的製備條件下，SiC是沒有液相存在的。SiC的製備條件要求：壓力約1000Pa、溫度超過2000℃，理想的化學配比。故從商業角度考慮：SiC單晶不可能像Si單晶一樣從熔體中提拉制備。
目前世界上常見的製備SiC單晶的方法是籽晶昇華法，又稱物理氣相傳輸法（PVT)。其原理是對準密閉的坩堝系統採用感應或電阻加熱，將作為生長源的固態混合物置於溫度較高的坩堝底部，籽晶固定在溫度較低的坩堝頂部。在低壓高溫下，生長源昇華且分解產生氣態物質，生長源與籽晶之間存在溫度梯度，因而會形成的壓力梯度。這些氣態物質會由此被輸運到低溫的籽晶位置，形成過飽和，籽晶開始長大。
(來源：2014·LED配套材料產業發展交流對接會）
除了以上方法，常見的還有高溫化學氣象沉積法（HTCVD）與液相法（LPE）兩種，這兩種方法的生長溫度也需要1500-2500℃。但是相對於PVT法，這兩種方法都還尚不成熟。下圖為SiC和Si單晶生長條件的參數對比。
近兩年，隨著電動汽車和5G通訊技術的發展，能夠承受高壓、高頻環境，導熱性良好的SiC器件又得到了重視，開始快速發展。國內，低功耗的碳化硅器件也已經從實驗室進入了實用器件的生產階段。但是相比來說，碳化硅晶圓的價格還是比較高，其缺陷也多，所以其應用市場距離像Si器件一樣廣泛成熟還需要一定的時間。
不過，希望還是很大的，“預言寧”感覺那天似乎就在不遠處。
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