SK海力士近日宣佈，將在提高第一代10nm級工藝(1xnm) DRAM內存芯片產能的同時，今年下半年開始銷售基於第二代10nm級工藝(1ynm)的內存芯片，併為下代內存做好準備。
SK海力士首款1ynm工藝產品將是8Gb DDR4-3200芯片，號稱相比1xnm工藝可將尺寸縮小20％，並將功耗降低15％。
此外，這顆新的芯片還具備四相時鐘機制，有利於提高信號強度、維持高頻穩定性，並支持感應放大控制技術(SAC)，有利於減少晶體管尺寸縮小時可能出現的數據錯誤。
有消息稱，SK海力士還會用1ynm工藝製造DDR5、LPDDR5、GDDR6內存芯片，所以儘早部署並量產非常關鍵。
其實，SK海力士是內存三巨頭中最後一家大規模上1ynm工藝的，三星、美光去年就用上了。
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