臺積電董事長劉德音昨（31）日主持臺灣半導體產業協會（TSIA）年度論壇結語時透露，臺積電會加大研發能量，將於竹科新建研發中心，打造成臺灣的貝爾實驗室，預計再擴增8,000名研發大軍，投入未來二、三十年科技和材料研發及半導體產業的基礎研究。
臺積電目前在晶圓代工先進製程領先全球，這是劉德音首次針對臺積電即將打造的全新研發中心，提出未來研發方針及定位。業界解讀，臺積電此舉將可更進一步鞏固領先地位，狠甩英特爾、三星等勁敵。
臺積電過去五年已投資逾500億美元在技術研發，以臺積電打算打造臺灣貝爾實驗室的計劃，預定未來幾年仍會投入數百億美元在新科技和新材料的研發，持續扮演臺灣半導體業領頭羊。
臺積規劃新研發中心，基地位於新竹縣寶山鄉，面積約32.7公頃，已向竹科管理局提出擴建計劃，目前全案已進入環評補件階段，根據臺積電之前的資料，整個3nm晶圓廠預計會在2020年正式動工建設，耗資超過4000億新臺幣，摺合879億人民幣或者130億美元。。臺積電幕僚表示，未來臺積電3納米以下的研發都會在此研發中心進行。
由於摩爾定律逐漸到了物理極限，3nm被認為是最後的一代硅基半導體工藝，因為1nm節點會遭遇嚴重的干擾。為了解決這個問題，三星宣佈在3nm節點使用GAA環繞柵極晶體管工藝，通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。
與三星相比，臺積電並沒有公佈過3nm工藝的具體技術細節，預計也會改用全新結構的晶體管工藝，只不過目前尚無明確消息。
但臺積電方面表示，他們 3nm工藝技術研發非常順利，已經有早期客戶參與進來，與臺積電一起進行技術定義，3nm將在未來進一步深化臺積電的領導地位。
目前，3nm工藝仍在早期研發階段，臺積電也沒有給出任何技術細節，以及性能、功耗指標，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說3nm將是一個全新的工藝節點，而不是5nm的改進版。
臺積電只是說，已經評估了3nm工藝所有可能的晶體管結構設計，並與客戶一起得到了非常好的解決方案，具體規範正在進一步開發中，公司有信心滿足大客戶們的所有要求。
臺積電此前曾披露，計劃在2022年就量產3nm工藝。
臺積電追求技術自主，這幾年持續擴大研發規模，經費逐年提高，去年研發經費已佔營收的8%，約達858.95億元新高，較前年的807.32億元增加，也超越臺灣半導體業界，今年佔比估為8.6%，金額站上千億元，再寫新猷。
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