中国光刻机技术和ASML的差距有多大？至少10年以上

众所周知，这几天大家又为中芯国际以及中国高端芯片制造担忧起来了，原因是中国芯国际向ASML采购的一台极紫外光刻机，可能生变了。因为ASML已向荷兰当局申请出口许可4个月了，一直没有得到许可，导致ASML无法按时交货。

而这台极紫外光刻机是中国唯一一台极紫外光刻机，也是制造高端芯片必不可少的设备，目前只有ASML能够生产。

于是有人问，目前中国刻蚀机能够生产出5nm的来了，那么国产光刻机的技术究竟在什么水平，和ASML相比，还差多少，能不能短时间内追上来，从而不再依赖ASML？

实话实说，中国目前的光刻机技术要和ASML相比的话，至少有10年以上的差距，短时间内是追不上的，所以还是想办法把这台极紫外光刻机赶紧拉回来才是正事，国产短时间内是没戏的。

我们知道在光刻机领域，有人根本ASML的技术并结合芯片制造，分为四个档次，分别是超高端，高端，中端，低档。

分别对应的节点分别5/7nm工艺、7-28nm工艺、28-65nm工艺，65-90nm工艺。目前ASML的产品覆盖所有档次，而nikon的产品停留在28nm这个节点，cannon和smee(上海微电子）停留在90nm这个节点。

意思就是中国的最高技术是90nm，生产出来的光刻机处于低端，只能生产90nm的芯片，而在90nm之后，还有65nm，45nm，32nm，22nm，14nm，10nm，7nm，5nm。

而这些节点技术，有好几个台阶要上，首先是45nm的以阶，再到22nm的台阶，再到10nm台阶，再到7nm的台阶，真的是一步一个坎，有些坎几年都未必能够更新出一代来。

所以说，从目前的这个情况来看，国产光刻机技术落后ASML至少是10年以上，甚至说10年都算是少的了，可以说是万里长征才开始第一步。

当然了，正如大家所想，再难也得研发，否则就会被人卡脖子，目前这台极紫外光刻机不就是如此么？用于生产5/7/8nm芯片的，是中芯国际用于下一代技术研发的，现在被卡了，可能会给中国高端芯片制造拖后腿了。