1895年，馬可尼成功的進行了約3公里無線電通信，6年後的1891年，他在英格蘭和紐芬蘭之間進行橫跨大西洋的摩爾斯碼電報的發射和接受，正式標誌著人類進入了無線通信時代，飛鴿傳書壽終正寢。
1973年4月一名男子站在紐約街頭，掏出一個約有兩塊磚頭大的無線電話，並打了一通電話，引得過路人紛紛駐足側目。這位就是“現代手機之父”，摩托羅拉的工程師馬丁·庫帕。
現代手機之父馬丁·庫帕與第一代“大哥大”
這一通電話也是馬丁·庫帕打給在貝爾實驗室工作的一位競爭對手，當時對方當時也在研製移動電話，但尚未成功。庫帕後來回憶道：“我打電話給他說：‘喬，我現在正在用一部便攜式蜂窩電話跟你通話。’我聽到聽筒那頭的‘咬牙切齒’——雖然他已經保持了相當的禮貌。
時至今日，手機已經誕生整整36年。手機的出現極大的豐富的我們的生活，現在各式手機已經遍地開花，全球僅智能手機用戶就超過30億。我們可以用手機進行視頻電話、上網、聊天、看直播、購物、玩遊戲……，在這背後是無線通信技術在這幾十年時間裡飛速發展。
任何一部手機，都必須有無線通信功能才能上網打電話，否則就是一塊磚頭，因此所有的手機中都安裝有無線通信功能的射頻芯片。
射頻芯片種類很多，包括射頻前端和射頻後端，其中射頻後端
主要就是基帶芯片。而射頻前端則主要包括：射頻天線，射頻開關、功率放大器（PA）、低噪放大器（LNA）、濾波器、雙工器等，這些都屬於射頻前端不可或缺的芯片。 射頻前端結構
從上世紀80年代開始，無線通信技術經歷了1G、2G、3G、4G時代，直至2017年12月，3GPP組織發佈了V15.0.0版TS 38.104規範，正式確定了5G標準。
新5G NR標準的頻率範圍分別定義為兩個不同的FR：即FR1與FR2。
FR1的重心放在450MHz-6GHz的頻譜上也稱為“Sub-6”標準，主要使用3GHz-4GHz之間頻段。FR2側重於24GHz~300GHz之間的頻段，又稱為“毫米波”標準，主要使用28GHz、40GHz和67GHz頻段。
無論是sub-6還是毫米波標準，所用的頻率都超過此前4G的200MHz-2.5GHz的頻率。因此在更高的頻率下，無論是移動設備還是基站，都對射頻芯片提出了更高的要求！
國際機構Yole預測，隨著5G的到來，幾個主要的手機射頻前端市場規模都會出現快速增長。
根據Yole的預計，到2023年，射頻前端市場規模有望超過340億美金，摺合2300億元人民幣，而這龐大的市場中，有一大半是中國廠商消化掉的，因此未來中國將成為全球最大的射頻芯片市場！
誰能在這場商戰中勝出，誰將獲得最大的利潤！因此目前國內外公司都鉚足勁要在5G領域一爭高下！
曾經巨頭壟斷，如今奮起直追
由於我國在無線通信領域，起步晚、技術差、基礎薄，在2G/3G時代只能眼睜睜看著國外巨頭在中國攫取鉅額利潤。4G時代稍好一些，但是也只是跟跑者，國外廠商依然賺的盆滿缽滿。從市場格局上來看，射頻前端的幾大類芯片包括PA、LNA、濾波器、依然被國外公司所壟斷。
SAW濾波器被村田、TDK、太陽誘電、Skyworks、Qorvo等巨頭壟斷；BAW濾波器，更是被博通一家壟斷了87%的市場；
在PA領域內博通、Skyworks、Qorvo射頻三巨頭更是合計佔有超過90%的市場份額。
整個射頻市場呈現寡頭壟斷格局。國內雖然也有不少行業公司，比如射頻開關的卓勝微、迦美；PA的昂瑞微、飛驤、唯捷創芯；濾波器的麥捷、大富、凡谷、諾思等。但就整體而言，國內射頻芯片公司在出貨量、性能、以及市佔率方面，與各大巨頭相去甚遠，還需行業公司們發奮圖強，縮短差距，伺機趕超。
5G時代開啟化合物半導體材料的春天
在半導體世界裡有，除了單一元素材料硅和鍺之外，還有一些由兩種及兩種以上元素結合而成的半導體材料，統稱為化合物半導體材料，主要包括GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦）、氮化鎵（GaN）、SiC（碳化硅）等。
這些化合物材料相比硅材料，有著禁帶寬度更大、電子遷移率更高、擊穿場強大、耐高溫性更好等特點。這些利用這些優異的特性，做出來器件，比傳統硅器件更耐高溫，耐高壓大電流、開關速度更快。所以因此在化合物半導體特別適合5G領域在內一些應用。
在之前的4G時代、主要有兩種方案來做PA。第一種是用硅材料的LDMOS結構做的PA，另外一種是用化合物材料來做的，比如GaAs HBT/HEMT結構的PA。
無論是LDMOS PA還是GaAs PA都有各自廣泛應用。LDMOS PA勝在產業成熟，易於製造，成本方面有優勢，但是性能略弱於GaAs PA；GaAs PA勝在面積更小、性能優異，但是製造工藝較複雜，產業公司稍少，生態不如硅產業成熟。
由於LDMOS低成本的原因，在4G時代在基站上曾一度被大量使用，佔據半壁江山。但是在5G時代，無論是sub-6還是毫米波標準，所使用的頻率都超過4G的頻率，需要PA運行在更高頻率下。但此時由於硅材料本身物理性質所限，已經力不從心。在高頻下線性度越來越差，增益也很難做高，如要想提高性能和功率密度，那面積就會呈幾何倍的增長，導致最終芯片變的碩大無比，面積變大後帶來的一系列的難題包括功耗、漏電、發熱量等都極其棘手。LDMOS的所面臨“三高問題”，功耗高、價格高、體積高，使得其商業前景存疑。
因此在5G時代，LDMOS PA是很難滿足實際需求的，將被逐漸邊緣化，此時輪到GaAs/GaN PA發力。GaAs/GaN PA在相同電壓下輕鬆可以上到40GHz，且芯片面積更小，更省電、功率密度更高，性能更加強悍，無論是移動設備終端，還是宏基站、微基站，在5G時代GaAs/GaN PA都將有很大的用武之地。
雖然化合物材料本身優點突出，但是想要把完全發揮它的優勢可是非常難的！化合物半導體有很多特殊結構和特殊工藝，不像CMOS那樣都是標準工藝，一定程度上可以互相學習和借鑑。而且PA射頻芯片又屬於模擬芯片，不像數字芯片那樣有標準參數。要用好化合物材料做PA，能做出怎麼樣的芯片，完全取決於你的芯片設計能力、和對材料的理解，以及工藝的掌握程度，真正做到“know How”，才能做出最好的產品！
抓住機遇，貼近市場，服務全球
隨著中國經濟發展，不斷釋放紅利。有越來越多的海歸專家選擇回國創業。在杭州這片創業熱土上，就有這麼一家公司，國內領先的砷化鎵射頻芯片製造公司——杭州立昂東芯微電子有限公司。杭州立昂東芯是杭州立昂微電子股份有限公司的控股子公司，是國內領先的射頻芯片製造公司。做為省重點集成電路企業，立昂東芯還承接了不少重點學科的研發項目，為浙江省的集成電路發展做出了貢獻。
2016年3月被授予“浙江省射頻集成電路製造技術省級重點企業研究院”；
2016年承擔浙江省重點研發項目《6英寸第二代半導體微波射頻集成電路芯片項目》，；
2018年承擔杭州市重大科技創新項目《面向5G通信的化合物射頻器件關鍵技術項目》；
立昂東芯的CEO汪博士回想起2015年回國創業的時候，表示當時省政府非常重視，在省市區各級領導關懷和立昂集團王敏文董事長的大力支持下，汪博士和幾位志同道合者選擇回國創業。短短几年時間，便建成了國內領先的射頻芯片製造線。創業途中雖遇到不少困難，但是都被克服了，從今日回望，滿滿的成就感。
立昂東芯Fab內景
“2015年東芯開始建設的，2017年我們生產出第一片HBT晶圓、第一片pHEMT晶圓這幾年時間內，立昂東芯不僅拿出過硬的產品，更是積累了寶貴的專利，技術和人才，頗為不易。”
汪博士回憶，“我曾經在國外一家全球知名的射頻芯片公司幹了近20年，看著整個射頻芯片市場的潮起潮落，但是國內公司一直落後於人，目前我國90%以上的射頻元器件依然依靠進口，國內水平處初級階段，因此我和我夥伴們，選擇回國創業，國產射頻芯片領域有著巨大的增長空間，我相信我們有能力把握住這股大潮！”
據汪博士介紹，客戶有時候會提出一些特定的需求，如果是適應市場發展的方向，立昂東芯就會進行技術疊加。
“公司已經開發了擁有自主知識產權的具有世界先進水平的高集成的射頻芯片結構，比如InGaP HBT（銦鎵磷異質結雙極型晶體管）、GaAs pHEMT（砷化鎵贗配高電子遷移率晶體管）、BiHEMT射頻集成電路（RFIC）、VCSEL等，這些技術屬於我們的獨門秘籍，具有領先水準。”
汪博士說道：“此外一些傳統的工藝方面我們也做了不少改進，我們開發了雙異質結雙極晶體管（DHBT）、三層金屬鏈接、低k值高可靠性的層間介電質 (ILD)的先進工藝技術，更好的為國內外5G客戶服務。”
“最近就有不少射頻芯片設計公司來我們這裡流片，我們的技術、工藝、產品、IP已經得到客戶的認可，我們有信心與國外公司正面競爭，也期望與國內設計公司一起發展，共同成長和進步。”
“你只有腳踏實地，精益求精的做好每份客戶訂單，客戶才會更加認可你，信任你。在我們這行，絕對來不的半點馬虎和浮誇，一旦產品出問題，以後客戶再也不會和你合作了，你要想穩固和商業夥伴的關係就要認真對待每片Wafer！”
——杭州立昂東芯CEO 汪耀祖
“除了砷化鎵之外，我們已經做好準備，隨時可以開拓氮化鎵市場，雖然氮化鎵方面存在很大的挑戰，但是我們有信心，有能力，有把握做好氮化鎵。畢竟5G後期一定會過渡到毫米波標準，基站側的大功率射頻芯片，只有氮化鎵才能滿足，我們已經做好準備靜待市場到來。”
5G時代即將來臨，類似立昂東芯的公司，杭州還有很多，離東芯不遠還有一家專注BAW濾波器的公司——杭州左藍微電子，該公司創始人張博士也緊盯著5G的進展，希望未來公司的濾波器產品趕上甚至超過國外水平。在杭州越來越多的半導體公司如雨後春筍一般迅速成長。這些未來的芯片生力軍，將帶領杭州、帶領浙江、帶領中國邁向更高的山峰。
杭州不僅有阿里巴巴、螞蟻金服、網易等“軟”公司，還有一干集成電路“硬核”公司！
5G大潮突飛猛進，“網紅之城”蓄勢待發！
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