新的WD閃存技術可提高SSD的性能和容量
固態存儲市場繼續以加速的速度發展，以與不斷增長的數據量保持同步。早期的固態驅動器具有SLC（單級單元）NAND閃存。然後是MLC（多層單元），然後是等等，隨著製造商增加單元密度，以幫助降低成本，並最終相對於傳統的旋轉磁介質，提高了固態存儲每GB的成本。這是一個簡化的解釋，並且多年來顯然也取得了其他進展，但是通常這就是NAND在SSD領域的發展方式。
今天，西部數據（WD）宣佈推出一種新的NAND閃存，它將繼續推動NAND容量和性能的提高，同時還優化成本。WD宣佈已與製造合作伙伴Kioxia Corporation（以前是東芝）聯合運營，成功開發了技術。
Western存儲器技術與製造高級副總裁Steve Paak博士說："在進入下一個十年的時候，一種新的3D NAND縮放方法對於持續滿足不斷增長的數據量和數據速率的需求至關重要。"數字。"我們成功生產的BiCS5體現了Western Digital在閃存技術方面的持續領導地位以及對我們路線圖的強大執行力。通過利用多層存儲孔技術的新進步來橫向增加密度並增加更多的存儲層，我們顯著擴展了3D NAND技術的容量和性能，同時繼續提供客戶期望的可靠性和成本。"
WD的BiCS5技術相對於上一代產品在縱向和橫向上均可擴展。它目前基於和四級單元（QLC）技術構建，並利用WD所謂的第二代多層存儲孔技術，具有112層的垂直存儲功能。WD聲稱，BiCS5比以前的BiCS4技術（最多可容納96層）提供的每個晶片的位最多增加40％，I / O性能提高50％。WD已開始以512Gb的容量開始生產BiCS5 TLC，並且已經在交付採用該新技術的消費類產品。但是，在2020年下半年，WD預計容量將一直增加到1.33Tb。
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