導讀：2月25日，合肥長鑫存儲官網正式公佈“
首顆國產DDR4內存芯片”，同時搭載該芯片的DDR4模組也正式曝光。
圖：DDR4 內存芯片（來源：長鑫存儲）
該芯片單顆容量為8Gb（即1GB）速率2666Mbps，工作電壓1.2V，與市面上主流桌面PC和筆記本內存顆粒參數接近，芯片大師猜測應為此前長鑫宣佈試產的10nm級工藝——初代為19nm。DDR4模組即常說的內存條，這次一同曝光的單條內存容量為8GB，長鑫強調其為自主開發設計和原廠內存顆粒，可以視為RAM芯片設計、晶圓製造和PCB模組均為長鑫獨立完成。
芯片大師2019年9月份曾報道合肥長鑫：DRAM工藝已提升至10nm級別，長鑫存儲已經開始使用19nm製造技術生產DDR4內存。目前，該公司已經制定了至少兩個10納米級製造工藝的路線圖，包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內存。
圖：DDR4 8GB 內存模組（來源：長鑫存儲）
不僅如此，在現有的一座12寸晶圓廠基礎上，長鑫存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產量並計劃在未來生產所有類型的DRAM。
長鑫的DRAM內存技術來源主要是已破產的奇夢達公司，長鑫董事長朱一明介紹，通過整體收購和專利授權等方式，長鑫從奇夢達獲得了一千多萬份DRAM技術文件及2.8TB的數據，在此基礎上改進、研發自主產權的內存芯片，耗資超過25億美元。同時，朱一明是國內最大NOR Flash廠商兆易創新（GD）的創始人。
圖：2019年12月長鑫購入奇夢達專利（來源：長鑫存儲）
長鑫主攻的DRAM是全球存儲器市場最大的一塊蛋糕，佔存儲器產值的52%，全球年產值約為746億美元，最大的廠商為三星和美光，美韓企業全球市場份額合計為94.8%；NAND佔存儲器產值的45%，全球年產值為645億美元，最大廠商為SK 海力士、三星、美光和西數（WD），美韓企業全球市佔率為81.4%。
全球存儲器格局請見：3張圖搞懂：為什麼中國一定要做存儲器？
國內存儲器領域主要廠商有，DRAM：紫光國芯、芯成半導體（ISSI）、合肥長鑫；NAND：長江存儲 ，NOR：兆易創新（GD）。其中，紫光國芯、長江存儲和合肥長鑫被稱為“存儲器國家隊”，紫光品牌的內存顆粒、內存條、SSD產品2019年均已面世。存儲器控制芯片（主控）：華為海思、國科微、珠海建榮、聯芸科技、北京憶芯等。
以下為國內存儲器企業的不完全統計數據。
來源：芯片大師研究院【中國芯片地圖（2019）】
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