揮灑你的淚
在本週的FMS 2018國際閃存會議上，三星、SK Hynix、美光、英特爾以及國內的紫光公司都展示了他們在存儲芯片技術的新進展，QLC閃存可以說是這次FMS峰會的一個重點。東芝公司也在FMS 2018會議上公佈了他們在96層堆棧BiCS 4閃存技術的情況，指出其QLC閃存在1500次P/E循環之後依然沒有變化，憑藉1.33Tb的核心容量，QLC閃存可以輕鬆作出85TB容量的U.2硬盤。
東芝公司96層堆棧的BiCS 4技術閃存之前我們也報道過，在這次的閃存峰會上，東芝公司又介紹了更多資料，還公佈了新的高性能閃存XL-Flash，日本PCWatch網站做了報道，來看看他們分享的最新進展。
QLC閃存無疑是各大存儲芯片公司今年下半年及未來幾年的重點，QLC閃存的基礎知識就不說了，其Cell單元中可以存儲4bit數據，容量比MLC、TLC閃存更大，但是代價就是有16中電壓變化，導致控制更加複雜，寫入速度更低，而且壽命更低，也就是P/E循環更少。
在這個問題上，東芝提到他們的96層堆棧BiCS 4技術的QLC閃存在1500次P/E循環之後也沒有看到明顯的劣化跡象，這代表著QLC閃存的實際P/E壽命不止1500次，而早前美光/英特爾公佈的QLC閃存P/E壽命是1000次，所以在壽命這個問題上，3D NAND時代的QLC閃存沒什麼好擔心的，情況比TLC閃存剛問世時要好太多了。
QLC閃存帶來的好處就是容量密度更大，東芝的QLC閃存核心容量可以做到1.33Tb，比業界其他公司高出33%，在M.2 22110規格上可以做到20TB容量，U.2規格的SSD硬盤可達85TB容量。
東芝之前就提到他們做出了單封裝2.66TB的閃存，內部封裝了16顆1.33Tb容量的NAND核心，總容量達到了2.66TB，BGA封裝，尺寸14x18mm，152pin針腳。
96層堆棧的NAND閃存模型
除了容量更大的QLC閃存，東芝還推出了面向高性能的XL-Flash閃存，這種閃存延遲極低，主要面向企業級市場。
這個XL-Flash閃存實際上相當於一個使用SLC技術的3D NAND閃存，SLC/MLC/TLC閃存在結構上並沒有太大區別，TLC閃存如何犧牲容量也可以按照SLC閃存的模式運行，東芝的XL-Flash閃存還需要在主控及外圍電路上做些改變。
與TLC閃存相比，東芝的XL-Flash閃存讀取延遲只有前者的1/10，與新一代非易失性存儲芯片相比還有更好的並行性。
東芝的XL-Flash閃存主要用於企業級市場，它可以與QLC閃存相結合，替代目前的存儲組合，比如DRAM+HDD，QLC閃存可以取代HDD存儲部分，XL-Flash可以用廉價的成本取代DRAM內存部分，兩者組合後平均延遲只有前者的一半。
QLC閃存雖然容量密度高於TLC閃存，不過數據讀寫性能上是不如TLC閃存的，這也是東芝推XL-Flash閃存的一部分原因，東芝希望延遲更低的XL-Flash閃存能夠彌補QLC閃存性能下降帶來的影響。
