1月2日消息，據外媒報道，週四，三星電子事實上的領導者李在鎔(Lee Jae-yong)開始大談該公司利用世界上第一個3納米工藝技術製造尖端芯片的戰略計劃。
李在鎔參觀了該公司位於京畿道華城的半導體研發中心。據三星公司稱，這位三星繼承人稱，該公司計劃採用正在開發的最新3納米全柵極(gate-all-around，簡稱GAA)工藝技術來製造尖端芯片，並提供給全球客戶。
GAA被認為是當前FinFET技術的升級版，該技術使芯片製造商能夠進一步提高微芯片的製造工藝。
三星在去年4月完成了基於極端紫外線技術的5納米FinFET工藝技術的開發。目前，它正在研究下一代納米工藝技術。
該公司表示，與5納米工藝相比，3納米GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。
“李在鎔訪問半導體研發中心，再次凸顯了三星要成長為非內存領域頂級芯片製造商的決心。”三星發言人稱。
去年，三星宣佈了一項高達133萬億韓元(約合1118.5億美元)的投資計劃，目標是到2030年成為全球最大的芯片系統製造商。
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