中國半導體行業本就比較弱，但你可能沒想到，作為半導體行業中最重要的環節，中國大陸的芯片工藝要比芯片自研更加薄弱，一直都是中國芯片廠的痛點，即便是華為能夠設計出麒麟芯片，但也需要依靠藉助臺積電生產。
前些時候有媒體報道，美國打算將“從美國獲得的技術”比例從25%調整到10%。也就是說時，只要使用美國標準的技術超過10%，就說明這是美國技術，而最受影響的就是華為，因為一旦落實，華為麒麟芯片可能無法使用臺積電的先進工藝。
雖然後來這個消息被臺積電否認，但從這個事件的出現，處處不反映著華為所面臨的困境，只有自己把握住知識產權才是硬道理，所以作為中國大陸最大的晶圓代工廠，中芯國際未來之路任重而道遠。
此前中芯國際已經表示，自家14nm工藝已經在試產了，今年就會迎來一輪爆發，年底有望達到目前的3-5倍，同時今年還有希望試產更先進的7nm工藝。另外外媒也有報道，2025年中國本地PC和服務器的處理器30%有望在境內設計與製造。
據瞭解，中芯國際14nm工藝早在2015年就開始研發，2019年已經解決了技術問題。之前有媒體還報道，中芯國際高管表態稱14nm工藝的良品率已經達到了95%，技術成熟度還是很不錯的。
不過對於中芯國際而言，良率達到只是第一道門檻，大規模量產是一個更大的門檻，這個過程最需要的就是客戶，需要有14nm工藝的客戶需求，需求量越高產能才有可能建設得更大，在這一點上，中芯國際還處於初期階段，相比三星、臺積電劣勢明顯。
不過對於14nm工藝而言，三星和臺積電都已經過了折舊期，所以中芯國際的工藝在成本上優勢明顯，而且中芯國際也只能依靠中國大陸的客戶支持。至於產能問題，2019年底，14nm工藝只有3000到5000晶圓/月，不過2020年的增長可能會很快，年底有望達到15000片晶圓/月，將是目前規模的3到5倍。
中芯國際14nm工藝未來還有望改進到12nm FinFET工藝，按照官方的介紹，主要是晶體管尺寸進一步縮微，功耗可降低20%、性能提升10%、錯誤率降低20%。再往後，中芯國際還有N+1及N+2代FinFET工藝，其中N+1代工藝有望今年內小規模量產。
不過中芯國際並沒有介紹這個“N”指的是哪種工藝，考慮到之前有報道稱，中芯國際會跳過10nm工藝，那麼N+1極有可能就是7nm節點了，意味著今年內我們就可能看到更先進的7nm工藝，即便是不跳過10nm，今年內能夠量產10nm工藝，意味著跟三星、臺積電只落後一兩代，已經處於主流水平了。
此前有分析師認為，中國本土的晶圓加工廠到2030年有望達到世界領先水平，2020年將是中國半導體行業的一個分水嶺，未來中國科技公司能夠掌握多項先進的半導體技術，期待那一刻的到來！
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