12.27 5G新一代砷化鎵材料,雲南鍺業受益

從西安電子科技大學蕪湖研究院獲悉,作為蕪湖大院大所合作的重點項目,國產化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試製成功,打破國外壟斷。這標誌著今後國內各大芯片企業生產5G通信芯片,有望用上國產材料。


點評:我國及全球5G網絡正在大規模建設中。大數據傳輸、雲計算、AI技術、物聯網,包括下一步的能源傳輸,對網絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求,大功率芯片的市場需求非常大。而硅材料的負載量已到達極限,以硅作為基片的半導體 器件性能和能力極限已無可突破的空間。碳化硅是製造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料,也是發展第三代半導體產業的關鍵基礎材料。它的禁帶寬度是目前主流的硅的3倍,導熱性能更是比藍寶石高10倍以上。在大功率工作狀態下,碳化硅在降低自身功耗的同時,更可提高系統其他部件的功效,節能可高達90%。業內甚至俗稱“得碳化硅者得天下”。
天富能源( 600509 )旗下天科合達藍光半導體有限公司是國內領先的專利規模化生產碳化硅的企業,完全替代進口,屬國家重點扶持項目,與全球最大的碳化硅晶體生產企業Cree相比,成本競爭優勢明顯。
天通股份( 600330 )繼磁材、藍寶石、壓電晶體之後,又進行了第三代化合物半導體碳化硅襯底材料的佈局,主要面向電力電子領域。

5G新一代砷化鎵材料,雲南鍺業受益

5G訂單超出預期、砷化鎵半導體 器件供不應求
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據媒體報道,9月16日,砷化鎵龍頭穩懋總經理陳國樺表示,目前產能已滿載,預計第4季進設備擴產,明年產能將擴增5000片,擴產幅度約14%。5G訂單比穩懋預估要提早來,量也比預期的大。資料顯示,5月份穩懋產能利用率僅55%,8月份產能利用率躥升至90%。
砷化鎵是第二代半導體材料,是通訊用射頻元件的最關鍵核心。今年是5G元年,預期明年5G手機將達2億臺規模,後年可望進一步擴增,對化合物半導體有利;此外,化合物半導體還可應用於自動駕駛、擴增實境(AR)與虛擬實境(VR)等。據機構預測,2020年GaAs微波通信器件市場規模將突破130億美元。5G訂單超出預期,砷化鎵半導體器件供不應求,相關公司有望受益。
海特高新( 002023 )-2.99%砷化鎵光電器件已經規模量產,已具備5G氮化鎵基站芯片研發和製造能力。
雲南鍺業( 002428 )-4.18%成功投產2-6英寸半導體級以及半絕緣體砷化鎵晶體和襯底,目前砷化鎵單晶片產能為80萬片/年


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