近日，中國科學院院士增選結果揭曉。2019年1月1日，中國科學院院士增選工作正式啟動，經過推薦、通信評審、公示、會議評審以及全體院士終選投票等程序，最終共產生中國科學院院士64名，中國科學院外籍院士20名。
據悉，64名中國科學院院士中包括女性6人，歸屬數學物理學部11人，化學部10人，生命科學和醫學學部10人，地學部11人，信息技術科學部7人，技術科學部15人，最小年齡42歲，平均年齡55.7歲，60歲(含)以下的佔87.5%，基本處於年富力強階段。
另外，新當選的20名外籍院士分別來自美國、法國、澳大利亞、奧地利、巴基斯坦、俄羅斯、哈薩克斯坦、荷蘭、加拿大、瑞典、意大利、英國，其中美國8人，法國2人，其餘各國各1人。值得一提的是，哈薩克斯坦、意大利2國是首次有科學家當選為中國科學院外籍院士。
據瞭解，截至目前，中國科學院共有院士 833人，外籍院士108人。
近年來，隨著科技、經濟加快發展，國際形勢變化加劇，我國對於科技創新與核心技術研發越發重視，而半導體作為關鍵一環，尤其是重要攻堅點。在本次新當選的64名中國科學院院士中，來自半導體領域的就有兩人，分別是中科院半導體所研究員常凱、南昌大學教授江風益。這體現出國家對於半導體產業發展和技術研究的高度重視。
“國家有突出貢獻的中青年專家”
常凱，現任中科院半導體所超晶格國家重點實驗室研究員，主要從事半導體物理的理論研究工作。2019年11月，當選為中國科學院院士。
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2013年，常凱被授予“國家有突出貢獻的中青年專家”的榮譽，那時他還未滿50歲。1964年，常凱出生於安徽潛山，大學時期正是我國改革開放風起雲湧的時候。1996年，常凱從北京師範大學物理系凝聚態物理專業畢業，獲得了理學博士學位。
雖然已經畢業，但是常凱的學習生涯並沒有結束。1996年至1998年，常凱在中科院半導體所讀完了博士後，這也為他現在的工作埋下了伏筆；隨後，1998年至2000年，常凱遠赴比利時安特衛普大學進行合作研究；2001年，常凱回到了中科院半導體所開始擔任研究員。
據公開信息顯示，常凱的主要研究領域是半導體納米結構的物理性質和半導體自旋電子學，共發表SCI論文111篇，論文SCI他人引用2100餘次，多項工作得到國際同行的正面評價和承認，並被寫入綜述文章和專著中。
常凱先後擔任了2013年第17屆窄能隙半導體物理會議主席，2015年(德國)第18屆國際程序委員會委員，2015年(日本)二維電子氣物理會議(EP2DS-21)程序委員會委員，2016年第33屆國際半導體物理大會(ICPS-33)程序委員會主席，中國物理學會凝聚態理論與統計物理專業委員會委員，半導體物理專業委員會委員等職務。
此外，他還相繼獲得了國家自然科學二等獎，得到國家傑出青年基金資助，入選國家百千萬人才工程，被授予“國家有突出貢獻的中青年專家”，被授予中國物理學會黃昆固體物理和半導體物理科學獎等諸多榮譽。
“不滿足於跟蹤模仿”的開路人
江風益，現任國家硅基LED工程技術研究中心主任、南昌大學材料科學與工程學院教授，主要研究領域為硅基氮化鎵半導體發光方向。2019年11月，當選為中國科學院院士。
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1984年，江風益教授畢業於吉林大學物理系，隨後在中國科學院長春物理研究所(現中國科學院長春光學精密機械與物理研究所)攻讀研究生。畢業後，江風益教授長期在南昌大學從事半導體發光方向人才培養、科學研究和社會服務工作，特別是在硅基氮化鎵半導體發光方向取得了開拓性、系統性、創造性學術成就。
據公開信息顯示，早在1997年，江風益教授就開始研究LED技術。不滿足於跟蹤模仿的他，果斷率先技術團隊研究在在硅襯底上生長氮化鎵LED材料，取得了重大突破。此後，江風益教授和王敏等人引進風險投資共同創立了晶能光電，在全球率先實現了硅襯底藍光LED大規模產業化。
既是“技術咖”、又是“教書匠”，還是“創業者”。對於江風益教授來說，這些不同的身份不僅是其人生追求的階段性成果，也是他志在更好服務社會、報效國家的突出體現。
未來，在國家政策加快落地、人才培養體系更為健全、半導體產業發展持續提速、半導體市場不斷擴張等積極形勢下，相信我國將會湧現出更多的半導體領域高端人才，為行業可持續發展，為我國突破技術困境、打造製造強國和創新強國提供關鍵驅動力。
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