第三代半導體材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（禁帶寬度 Eg gt;2.3eV）的半導體材料。
寬禁帶半導體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合材料。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合製作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。從目前第三代半導體材料及器件的研究來看，較為成熟的第三代半導體材料是 SiC 和 GaN，而 ZnO、金剛石、氮化鋁等第三代半導體材料的研究尚屬起步階段。
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