我们经常说半导体器件，它的温度性稳定性比较差，那么温度对于伏安特性有着什么样的影响呢？这就是本节的目的。
先看正向特性。在这里实线表示的是20摄氏度时所测试的伏安特性 ，虚线表示的是80摄氏度的时候的伏安特性。假如，它们在同一个i的时候，80摄氏度情况下所需要的压降小；压降u相同的时候，80度情况下电流增大的更多，所以我们就得到一个结论：当电流不变的情况下，管压降是会下降的。
然后我们再看反向特性。虚线是摄氏80度的，实线是摄氏20度的，那我们看到，这个虚线下移就说明它反向饱和电流大，原因就是温度升高，价电子挣脱共价键的数量增多，参与漂移运动的少数载流子的数目增多，从而在外部看到反向电流会增大。那么同时我们也看到，由于价电子和自由电子，它们本身热运动加剧，就使得更容易被外加反向电压击穿，所以击穿电压减小。
那么整个总体来看，就是正向的特性左移，反向特性下移。有一个数据就是：在电流不变的情况下，每变化一个摄氏度，它端电压的变化是2到2.5mv，而反向的饱和电流，温度每变化10度，它会变化1倍，所以由此我们可以看到，反向饱和电流对于整个电路器件温度的稳定性的影响是非常大的。因此，在实际应用中，我们要考虑它温度的使用环境。
分享到:
閱讀更多 電子領學君 的文章
